小信號是大信號工作在固定偏置點下電路體現(xiàn)，那么為了得到我們需要的小信號性能...小信號是大信號工作在固定偏置點下電路體現(xiàn)，那么為了得到我們需要的小信號性能，例如運放的增益，BW，GBW，PM，那么一個重要的前提就是電路要工作在小信號需要的...
其實掌握最基本的公式，也就是gain=gm*Rout，就能快速的推導出運放的增益。有的...其實掌握最基本的公式，也就是gain=gm*Rout，就能快速的推導出運放的增益。有的管子尺寸大，W/L大，自然gm大；有的W/L小，自然gm小。
在講解MOSFET的開啟過程之前，先說以下電容C的充放電過程，下面以1uF陶瓷電容為...在講解MOSFET的開啟過程之前，先說以下電容C的充放電過程，下面以1uF陶瓷電容為例，我們仿真一下電容在充電和放電兩個過程中，電容兩端的電壓和電流的波形圖是什么...
現(xiàn)在用在音響上的功率MOS又分正溫和負溫管，如K1058等是負溫管，溫度越高同樣的...現(xiàn)在用在音響上的功率MOS又分正溫和負溫管，如K1058等是負溫管，溫度越高同樣的Vgs得到的ID越小。IRFP240等是正溫管，溫度越高，Vgs開啟電壓越低，同樣的Vgs下得到...
共源極電路除有圖16-13 所示的接法外，還可采用圖16-14 所示的電路。這種電路的...共源極電路除有圖16-13 所示的接法外，還可采用圖16-14 所示的電路。這種電路的柵偏壓是由負電壓UG經(jīng)偏置電阻RG提供的。該電路雖然簡單.但R G不易取得過大.否則會...
三極管的飽和區(qū)：Ic不隨Ib的增大而增大，所以稱為飽和區(qū)。MOS管的飽和區(qū)：Ids不...三極管的飽和區(qū)：Ic不隨Ib的增大而增大，所以稱為飽和區(qū)。MOS管的飽和區(qū)：Ids不隨Vds的增大而增大，所以稱為飽和區(qū)。
