由于換能器發(fā)出的超聲波前輻射面聲壓同施加電壓對時間的導數(shù)dU/dt成正比，盡量...由于換能器發(fā)出的超聲波前輻射面聲壓同施加電壓對時間的導數(shù)dU/dt成正比，盡量縮短激勵脈沖上升時間至關(guān)重要。激勵脈沖的上升時間主要取決于MOS管的導通速度。
過沖和下沖原理是一樣的，這里以過沖為例子分析。上面mos管打開的瞬間，可以等...過沖和下沖原理是一樣的，這里以過沖為例子分析。上面mos管打開的瞬間，可以等效為上圖開關(guān)閉合的瞬間?？梢岳斫饨o了一個階躍信號，因此電壓過沖是該RCL電路對階躍...
在推挽式驅(qū)動結(jié)構(gòu)中，當互補MOSFET開啟時，正常情況下漏極電壓會升至直流電源電...在推挽式驅(qū)動結(jié)構(gòu)中，當互補MOSFET開啟時，正常情況下漏極電壓會升至直流電源電壓的兩倍(或者本例中的30V)。然而，如圖1所示，尖峰電壓卻高達54V。在MOSFET關(guān)閉以...
為了降低開關(guān)節(jié)點產(chǎn)生的尖峰電壓，可考慮增加RC緩沖電路。在下面的示例中，整流...為了降低開關(guān)節(jié)點產(chǎn)生的尖峰電壓，可考慮增加RC緩沖電路。在下面的示例中，整流二極管關(guān)斷（高邊開關(guān)導通）時，RC緩沖電路可將二極管的接合部、寄生電感、寄生電容...
保證開關(guān)管在開、關(guān)過程中du/dt、di/dt足夠小，限制開關(guān)管上的電壓或電流峰值，...保證開關(guān)管在開、關(guān)過程中du/dt、di/dt足夠小，限制開關(guān)管上的電壓或電流峰值，從而保證開關(guān)管正確可靠地運行；并降低EMI的水平。
MOSFET的電流增益特征頻率fT，用于表征MOSFET的電流放大的最高工作頻率。MOSFET的電流增益特征頻率fT，用于表征MOSFET的電流放大的最高工作頻率。
