【圖文】MOS管飽和區(qū)、三極管飽和區(qū)的區(qū)別-KIA MOS管
信息來源：本站 日期：2022-05-16
mos：iDs不隨Vds增加而增加；
bjt:iC不隨iB的增加而增加；
典型VT=1V;
三極管的飽和區(qū)：Ic不隨Ib的增大而增大，所以稱為飽和區(qū)。
MOS管的飽和區(qū)：Ids不隨Vds的增大而增大，所以稱為飽和區(qū)。
其實(shí)，三極管在線性區(qū)時(shí),Ib=B Ic, 在VCE與Ib的曲線圖中,一般希望靜態(tài)工作點(diǎn)Q落在中間也就是落在線性區(qū)間.在飽和區(qū),基極的電流不會(huì)在集電極端放大.在應(yīng)用時(shí)我們使用Ib進(jìn)行放大。
而MOS管則不同,首先MOS管的柵極電流接近0,不會(huì)被放大.主要是溝道電流Ids由柵極電壓和溝道電壓(參考ids同vgs,vds的關(guān)系式).在飽和區(qū),忽略溝道長度調(diào)整,其Ids在飽和區(qū)就接近恒定了,實(shí)際上不是這樣的,Ids由vgs來放大,希望vds對(duì)放大的影響小,因而只有在飽和區(qū)內(nèi)放大信號(hào)是有意義的。
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