瞬時(shí)正弦半波輸入電壓 。當(dāng)導(dǎo)通時(shí)間國(guó)定時(shí)，關(guān)斷時(shí)間與凡 有關(guān)并按式 C 15...瞬時(shí)正弦半波輸入電壓 。當(dāng)導(dǎo)通時(shí)間國(guó)定時(shí)，關(guān)斷時(shí)間與凡 有關(guān)并按式 C 15.18)改動(dòng)。因而頻率 隨著正弦半波電壓飛 改動(dòng)。電感L 的值要設(shè)計(jì)得相當(dāng)小 ，但要可以...
磁放大器只是用來(lái)調(diào)理輔輸出電壓 。它經(jīng)過(guò)控制初始磁通密度 Bl 來(lái)控制輸 出。B...磁放大器只是用來(lái)調(diào)理輔輸出電壓 。它經(jīng)過(guò)控制初始磁通密度 Bl 來(lái)控制輸 出。Bl 越低，關(guān)斷時(shí)間 tb 越長(zhǎng)，即導(dǎo)通時(shí)間 tf 越短 ，直流輸出電壓越低 。
兩個(gè)相同的單端正激變換器交替工作 （ 各占半個(gè)周期） ，其次級(jí)電流經(jīng)過(guò) 整流二...兩個(gè)相同的單端正激變換器交替工作 （ 各占半個(gè)周期） ，其次級(jí)電流經(jīng)過(guò) 整流二極管相加 其拓?fù)?。這種拓?fù)涞膬?yōu)點(diǎn)是每周期有兩個(gè)功率脈沖 ，且每個(gè)變換器只提供總輸...
交流開(kāi)關(guān) （電流電壓間的 “堆疊”） 損耗由于在 T=O 后很短的時(shí)間內(nèi) ，電感呈...交流開(kāi)關(guān) （電流電壓間的 “堆疊”） 損耗由于在 T=O 后很短的時(shí)間內(nèi) ，電感呈現(xiàn)無(wú)量大阻抗 ，所以變壓器漏感會(huì)使集電極電壓下 降很快。雖然電感上的電流不能突變...
在設(shè)計(jì)電路時(shí)，首先要決議為PWM芯片供電的輔助電源是接輸出地還是接輸入地。在...在設(shè)計(jì)電路時(shí)，首先要決議為PWM芯片供電的輔助電源是接輸出地還是接輸入地。在大多數(shù)場(chǎng)所中，輸入地和輸出地之間都有直流隔離。帶負(fù)載的輸出端接輸出地。主開(kāi)關(guān)功...
在過(guò)去的十幾年中，大功率場(chǎng)效應(yīng)管引發(fā)了電源工業(yè)的反動(dòng)，而且大大地促進(jìn)了電子...在過(guò)去的十幾年中，大功率場(chǎng)效應(yīng)管引發(fā)了電源工業(yè)的反動(dòng)，而且大大地促進(jìn)了電子工業(yè)的展開(kāi)。由于MOSFET管具有更快的開(kāi)關(guān)速度，電源開(kāi)關(guān)頻率可以做得更高，可以從5...
