KNB2803S場效應(yīng)管漏源擊穿電壓30V,漏極電流150A,極低導(dǎo)通電阻RDS(開啟) 2.0m...KNB2803S場效應(yīng)管漏源擊穿電壓30V,漏極電流150A,極低導(dǎo)通電阻RDS(開啟) 2.0mΩ,最大限度地減少導(dǎo)電損耗,高效低耗;具有低Crss、快速切換、100%雪崩測試、改進...
絕緣層薄,承受高電壓的能力差。 高輸入阻抗使其對電壓變化敏感。 靜電放電會...絕緣層薄,承受高電壓的能力差。 高輸入阻抗使其對電壓變化敏感。 靜電放電會在短時間內(nèi)施加過高的電壓,導(dǎo)致絕緣層擊穿。
反向電流IR:在被測管兩端加規(guī)定反向工作電壓VR時,二極管中流過的電流。 反向...反向電流IR:在被測管兩端加規(guī)定反向工作電壓VR時,二極管中流過的電流。 反向擊穿電壓VBR:被測管通過的反向電流IR為規(guī)定值時,在兩極間所產(chǎn)生的電壓降。
KND3203B場效應(yīng)管漏源擊穿電壓30V,漏極電流100A;采用CRM(CQ)先進的溝槽MOS...KND3203B場效應(yīng)管漏源擊穿電壓30V,漏極電流100A;采用CRM(CQ)先進的溝槽MOS技術(shù),極低導(dǎo)通電阻RDS(開啟) 3.1mΩ,最大限度地減少導(dǎo)電損耗,高效低耗;優(yōu)秀的Qg...
混合集成電路是一種將不同技術(shù)制造的電子元件(如半導(dǎo)體器件、陶瓷器件、電阻、...混合集成電路是一種將不同技術(shù)制造的電子元件(如半導(dǎo)體器件、陶瓷器件、電阻、電容等)集成在同一基板上,通過金屬線或焊接連接這些元件以實現(xiàn)功能電路。 混合集成...
當(dāng)MOSFET從截止區(qū)經(jīng)過放大區(qū)轉(zhuǎn)到可變電阻區(qū)時,對應(yīng)其開通過程(反之為關(guān)斷過程...當(dāng)MOSFET從截止區(qū)經(jīng)過放大區(qū)轉(zhuǎn)到可變電阻區(qū)時,對應(yīng)其開通過程(反之為關(guān)斷過程)。在放大區(qū)內(nèi),由于米勒效應(yīng),隨著Vds下降,CGD電容顯著增大。因此,給CGD電容充...