KIA5N50SY場效應管漏源擊穿電壓高達500V,漏極電流5A,低導通電阻RDS(開啟) 1....KIA5N50SY場效應管漏源擊穿電壓高達500V,漏極電流5A,低導通電阻RDS(開啟) 1.35Ω,最大限度地減少導電損耗,高效低耗?;堅固的高壓端接、指定雪崩能量、源極到...
導體的電阻R跟它的長度L、電阻率ρ成正比,跟它的橫截面積S成反比,這個規(guī)律就...導體的電阻R跟它的長度L、電阻率ρ成正比,跟它的橫截面積S成反比,這個規(guī)律就叫電阻定律(law of resistance),公式為R=ρL/S 。其中ρ為制成電阻的材料的電阻率,...
添加反向并聯(lián)二極管:在MOS管的源極和漏極之間,加入一個反向并聯(lián)二極管,可以...添加反向并聯(lián)二極管:在MOS管的源極和漏極之間,加入一個反向并聯(lián)二極管,可以巧妙地抑制二極管反向電壓。當漏極電壓為負值時,這個二極管會導通,從而將漏極電壓...
電機控制器mos管KNG3404D漏源擊穿電壓40V,漏極電流80A,采用先進的溝槽技術,...電機控制器mos管KNG3404D漏源擊穿電壓40V,漏極電流80A,采用先進的溝槽技術,具有良好的穩(wěn)定性及抗沖擊能力;極低導通電阻RDS(開啟) 4.4mΩ,最大限度地減少導電...
歐姆定律:R=U/I 電阻(R)等于電壓(U)除以電流(I),這是電工學的基石。 ...歐姆定律:R=U/I 電阻(R)等于電壓(U)除以電流(I),這是電工學的基石。 電功率公式 電流在單位時間內(nèi)做的功叫做電功率。是用來表示消耗電能的快慢的物理量...
尺寸和空間占用:SOP封裝比DIP封裝更小,占用的空間更少,更適合現(xiàn)代電子設備的...尺寸和空間占用:SOP封裝比DIP封裝更小,占用的空間更少,更適合現(xiàn)代電子設備的小型化趨勢。 引腳數(shù)量和排列:SOP封裝可以容納更多的引腳,并且引腳排列更緊湊,...