逆變器專用mos管KCD3406A漏源擊穿電壓60V,漏極電流為80A,采用先進(jìn)的LVMOS工藝...逆變器專用mos管KCD3406A漏源擊穿電壓60V,漏極電流為80A,采用先進(jìn)的LVMOS工藝技術(shù)生產(chǎn),SGT MOSFET通過(guò)結(jié)構(gòu)改進(jìn)提升性能,在降低導(dǎo)通電阻和開(kāi)關(guān)損耗方面表現(xiàn)出色...
LED電平指示器帶有可調(diào)增益放大級(jí),既可以接在音頻功放電路的輸出端,作為功放...LED電平指示器帶有可調(diào)增益放大級(jí),既可以接在音頻功放電路的輸出端,作為功放輸出電平指示,也可以接在音頻前置放大電路輸出端(音量控制電路之前),作為前置級(jí)...
MOS管防倒灌電路的設(shè)計(jì)原理是利用MOS管的開(kāi)關(guān)特性,當(dāng)電源正常連接時(shí),MOS管處...MOS管防倒灌電路的設(shè)計(jì)原理是利用MOS管的開(kāi)關(guān)特性,當(dāng)電源正常連接時(shí),MOS管處于導(dǎo)通狀態(tài);當(dāng)電源斷開(kāi)或有電流倒灌風(fēng)險(xiǎn)時(shí),MOS管迅速關(guān)斷,阻止電流逆向流動(dòng)。
bms mos管KNY3404D漏源擊穿電壓40V,漏極電流80A,采用先進(jìn)的溝槽技術(shù),極低導(dǎo)...bms mos管KNY3404D漏源擊穿電壓40V,漏極電流80A,采用先進(jìn)的溝槽技術(shù),極低導(dǎo)通電阻RDS(開(kāi)啟) 5.2mΩ,最大限度地減少導(dǎo)電損耗,提升效率;具有開(kāi)關(guān)速度快,內(nèi)阻...
當(dāng)VUSB有電,PMOS管截止,即便有體二極管電流流過(guò),但是因?yàn)閂USB會(huì)比Vbat電壓高...當(dāng)VUSB有電,PMOS管截止,即便有體二極管電流流過(guò),但是因?yàn)閂USB會(huì)比Vbat電壓高,PMOS的Vgsl
共模電感:是指當(dāng)交流電通過(guò)電路時(shí),同時(shí)抑制電路中電流流向地線的電感。它主要...共模電感:是指當(dāng)交流電通過(guò)電路時(shí),同時(shí)抑制電路中電流流向地線的電感。它主要用于濾除共模干擾,即在線路與地線之間產(chǎn)生的干擾電流。 差模電感:是指當(dāng)交流電通...