如果MOS的Drink極電壓為12V，Source極電壓原為0V，Gate極驅(qū)動(dòng)電壓也為12V，那么...如果MOS的Drink極電壓為12V，Source極電壓原為0V，Gate極驅(qū)動(dòng)電壓也為12V，那么當(dāng)MOS在導(dǎo)通瞬間，Soure極電壓會(huì)升高為Drink減壓減去一個(gè)很小的導(dǎo)通壓降，那么Vgs電...
CMOS邏輯電路，分兩部分，上拉部分，下拉部分。上拉部分由PMOS管電路構(gòu)成，下拉...CMOS邏輯電路，分兩部分，上拉部分，下拉部分。上拉部分由PMOS管電路構(gòu)成，下拉部分由NMOS管電路組成，如下。上下拉，形成互補(bǔ)。
由于MOS管截止時(shí)漏極和源極之間的內(nèi)阻Ror非常大,所以截止?fàn)顟B(tài)下的等效電路可以...由于MOS管截止時(shí)漏極和源極之間的內(nèi)阻Ror非常大,所以截止?fàn)顟B(tài)下的等效電路可以用斷開(kāi)的開(kāi)關(guān)代替,如圖a所示。MOS管導(dǎo)通狀態(tài)下的內(nèi)阻RoN約在1kΩ以?xún)?nèi),而且與VGs的數(shù)...
NMOS管的主回路電流方向?yàn)镈極到S極，導(dǎo)通條件為VGS有一定的壓差，即VG-VS>VTH；...NMOS管的主回路電流方向?yàn)镈極到S極，導(dǎo)通條件為VGS有一定的壓差，即VG-VS>VTH；PMOS管的主回路電流方向?yàn)镾極到G極，導(dǎo)通條件為VSG有一定的壓差，即VS-VG>VTH。故一...
當(dāng)5V沒(méi)接入時(shí)，PMOS管的柵極通過(guò)電阻R1下拉到地（0V），鋰電池BAT（3.7~4.2V）...當(dāng)5V沒(méi)接入時(shí)，PMOS管的柵極通過(guò)電阻R1下拉到地（0V），鋰電池BAT（3.7~4.2V）通過(guò)MOS管的內(nèi)部體二極管到達(dá)源極，源極電壓為（3~3.5）V，此時(shí)Ugs為（-3.5）V到（-...
1、VSSS耐壓 按下圖連接測(cè)試電路，設(shè)置VGS=0V，VSS1從0V以0.1V步增，逐漸增加...1、VSSS耐壓 按下圖連接測(cè)試電路，設(shè)置VGS=0V，VSS1從0V以0.1V步增，逐漸增加電壓至IS=1mA,且MOS無(wú)損毀，記錄VSS1的電壓。
