碳化硅二極管具有較短的恢復時間，影響較小，工作范圍-55。至175。C，大大降低...碳化硅二極管具有較短的恢復時間，影響較小，工作范圍-55。至175。C，大大降低散熱的要求。它的主要優(yōu)勢在于它具有超快開關速度無反向恢復電流，跟硅器件對比，它...
1 工業(yè)領域：步進馬達驅(qū)動，電鉆工具，工業(yè)開關電源 2 新能源領域：光伏逆變，...1 工業(yè)領域：步進馬達驅(qū)動，電鉆工具，工業(yè)開關電源 2 新能源領域：光伏逆變，充電樁，無人機 3 交通領域：車載逆變器，汽車HID安定器，電動自動車 4 綠色照明...
KIA半導體專業(yè)生產(chǎn)MOS管場效應管廠家（國家高新技術企業(yè)）成立于2005年，公司成...KIA半導體專業(yè)生產(chǎn)MOS管場效應管廠家（國家高新技術企業(yè)）成立于2005年，公司成立初期就明確立足本市場，研發(fā)為先導，了解客戶需求，運用創(chuàng)新的集成電路設計方案和...
結(jié)型場效應管的引腳辨認辦法如圖4-38昕示，將萬用表置丁。RX 1k”擋，用兩表筆...結(jié)型場效應管的引腳辨認辦法如圖4-38昕示，將萬用表置丁。RX 1k”擋，用兩表筆分別丈量每兩個引腳間的正、反向電阻。當某兩個引腳間的正、反向電阻相等，均為數(shù)千...
N溝道加強型MOSFET的溝道構(gòu)成及符號如圖2-35所示，其中圖2-35 (a)所示是在一塊...N溝道加強型MOSFET的溝道構(gòu)成及符號如圖2-35所示，其中圖2-35 (a)所示是在一塊雜質(zhì)濃度較低的P型半導體襯底上制造兩個高濃度的N型區(qū)，并分別將它們作為源極s和漏極...
在圖2-31(a)中，s表示Source，源極；D表示Drain，漏極；G表示Gate，柵極。在漏...在圖2-31(a)中，s表示Source，源極；D表示Drain，漏極；G表示Gate，柵極。在漏極和源極之間加上一個正向電壓后，N型半導體中的多數(shù)載流子（電子）便能夠?qū)щ娏?。這...
