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場(chǎng)效應(yīng)管參數(shù)手冊(cè)大全-場(chǎng)效應(yīng)管型號(hào)用途參數(shù)查詢手冊(cè)-KIA MOS管

信息來(lái)源:本站 日期:2018-06-28 

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場(chǎng)效應(yīng)管參數(shù)手冊(cè)大全

場(chǎng)效應(yīng)管參數(shù)手冊(cè)大全

型號(hào)

封裝

材料

用途

參數(shù)

KIA9N90H

TO-247

NMOS

逆變器

9A/900V

KIA9N90H

TO-220F

NMOS

安定器

9A/900V

KIA6110A

TO-251

NMOS

開(kāi)關(guān)電源

12A/100V

KIA100N03A

TO-263

NMOS

保護(hù)器

90A/30V

KIA10N80H

TO-220F

NMOS

逆變器

10A/80V

KIA4N60H

TO-220F

NMOS

逆變器

4A/600V

KIA4N60H

TO-262

NMOS

充電器

4A/600V

KIA13N50H

TO-263

NMOS

開(kāi)關(guān)電源

13A/500V

KIA24N50H

TO-3P

NMOS

逆變器

20A /500V

KIA1N65H

TO-251

NMOS

開(kāi)關(guān)電源

2A/600V

KIA20N50H

TO-220F

NMOS

逆變器

20A/500V

KIA2N60H

TO-251

NMOS

開(kāi)關(guān)電源

20A/600V

KIA2N65H

TO-251

NMOS

開(kāi)關(guān)電源

2A/650V

KIA28N50H

TO-3P

NMOS

開(kāi)關(guān)電源

28A/500V

KIA75NF75

TO-263

NMOS

電動(dòng)車(chē)

75A/75V

KIA2803A

TO-263

NMOS

保護(hù)器

150A/30V

KIA1N60H

TO-251

NMOS

開(kāi)關(guān)電源

1A/600V

KIA4360A

TO-252

NMOS

開(kāi)關(guān)電源

4A/650V

KIA16N50H

TO-247

NMOS

開(kāi)關(guān)電源

16A/500V

KIA2N60H

TO-220F

NMOS

開(kāi)關(guān)電源

2A/600V

KIA3N80H

TO-220F

NMOS

開(kāi)關(guān)電源

3A/800V

KIA10N60H

TO-220F

NMOS

開(kāi)關(guān)電源

9.5A/600V

KIA23P10A

TO-252

PMOS

報(bào)警器

-23A/-100V

KIA40N20A

TO-3P

NMOS

逆變器

40A /200V

KIA2806A

TO-3P

NMOS

逆變器

160A/60V

KIA4N60H

TO-251

NMOS

開(kāi)關(guān)電源

4A/600V

KIA4N65H

TO-251

NMOS

開(kāi)關(guān)電源

4A /650V

KIA20N40H

TO-3P

NMOS

逆變器

20A/400V

KIA18N20A

TO-220F

NMOS

開(kāi)關(guān)電源

18A/200V

KIA9N90H

TO-3P

NMOS

逆變器

9A/900V

KIA10N80H

TO-3P

NMOS

逆變器

50A/60V

KIA16N50H

TO-3P

NMOS

開(kāi)關(guān)電源

16A/500V

KIA50N06

TO-220F

NMOS

逆變器

50A/60V

KIA1N60H

TO-252

NMOS

開(kāi)關(guān)電源

1A/600V

KIA5N50HD

TO-252

NMOS

安定器

5A/500V

KIA830S

TO-252

NMOS

安定器

5A/550V

KIA18N50H

TO-247

NMOS

逆變器

18A/500V

KIA24N50H

TO-247

NMOS

逆變器

24A/500V

KIA28N50H

TO-247

NMOS

逆變器

28A/500V

KIA4N60H

TO-252

NMOS

開(kāi)關(guān)電源

4A/600V

KIA3510A

TO-263

NMOS

安定器

75A /100V

KIA35P10A

TO-252

PMOS

報(bào)警器

-35A/-100V

KIA7N60H

TO-263

NMOS

開(kāi)關(guān)電源

7A/600V

KIA7N65H

TO-263

NMOS

開(kāi)關(guān)電源

7A/650V

KIA840S

TO-263

NMOS

安定器

8A/500V

KIA4750S

TO-252

NMOS

安定器

9A/500V

KIA20N50H

TO-3P

NMOS

開(kāi)關(guān)電源

20A/500V

KIA28N50H

TO-247

NMOS

逆變器

28A/500V




MOS管選擇系統(tǒng)重要參數(shù)

1、負(fù)載電流IL

它直接決議于MOSFET的輸出才能;


2、輸入—輸出電壓

它受MOSFET負(fù)載占空比才能限制;


3、MOS開(kāi)關(guān)頻率FS

這個(gè)參數(shù)影響MOSFET開(kāi)關(guān)霎時(shí)的耗散功率;


4、MOSFET最大允許工作溫度

要滿足系統(tǒng)指定的牢靠性目的;


MOSFET設(shè)計(jì)選擇

一旦系統(tǒng)的工作條件(負(fù)載電流,開(kāi)關(guān)頻率,輸出電壓等)被肯定,功率MOSFET在參數(shù)方面的選擇如下:


1 、RDSON的值

最低的導(dǎo)通電阻,能夠減小損耗,并讓系統(tǒng)較好的工作。但是,較低電阻的MOSFET較高電阻器件。


2、 散熱

假如空間足夠大,能夠起到外部散熱效果,就能夠以較低本錢(qián)取得與較低RDSON一樣的效果。也能夠運(yùn)用外表貼裝MOSFET到達(dá)同樣效果,詳見(jiàn)下文第15行。


3 、MOSFET組合

假如板上空間允許,有時(shí)分,能夠用兩個(gè)較高RDSON的器件并聯(lián),以取得相同的工作溫度,并且本錢(qián)較低。


場(chǎng)效應(yīng)管的主要特性參數(shù)

場(chǎng)效應(yīng)管的直流參數(shù)

1.夾斷電壓Up

在UDS為某一固定值的條件下,使ID等于一個(gè)微小電流值(幾微安)時(shí),柵極上所加偏壓UGS就是夾斷電壓。它適用于結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管及耗盡型絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管。


2. 開(kāi)啟電壓UT

在UDS為某一固定值的條件下,使S 極與D 極之間形成導(dǎo)電溝道的UGS就是開(kāi)啟電壓。它只適用于增強(qiáng)型絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管。


3. 飽和電流IDSS

在UDS =0的條件下,漏極與源極之間所加電壓大于夾斷電壓時(shí)的溝道電流稱為飽和電流,它適用于耗盡型絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管。


4. 直流輸入電阻RGS

在場(chǎng)效應(yīng)管輸入端(即柵源之間)所加的電壓Ucs 與流過(guò)的柵極電流之比,稱作直流輸入電阻。絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管的直流輸入電阻比結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管大兩個(gè)數(shù)量級(jí)以上。結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管的直流輸入電阻為1 X 10 8Ω,而絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管的直流輸入電阻為1 X 10 12Ω 以上。


5. 漏源擊穿電壓BVDS

在增大漏師、電壓的過(guò)程中.使ID開(kāi)始劇增的UDS值,稱為漏源擊穿電壓。BVDS確定了場(chǎng)效應(yīng)管的使用電壓。


6. 柵源擊穿電壓BVGS

對(duì)結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管來(lái)說(shuō),反向飽和電流開(kāi)始劇增時(shí)的UGS值,即為柵游、擊穿電壓。對(duì)于絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管來(lái)說(shuō),它是使SiO2 絕緣層擊穿的電壓。


1、極限參數(shù)

ID :最大漏源電流.是指場(chǎng)效應(yīng)管正常工作時(shí),漏源間所允許通過(guò)的最大電流.場(chǎng)效應(yīng)管的工作電流不應(yīng)超過(guò) ID .此參數(shù)會(huì)隨結(jié)溫度的上升而有所減額.


IDM :最大脈沖漏源電流.體現(xiàn)一個(gè)抗沖擊能力,跟脈沖時(shí)間也有關(guān)系,此參數(shù)會(huì)隨結(jié)溫度的上升而有所減額.


PD :最大耗散功率.是指場(chǎng)效應(yīng)管性能不變壞時(shí)所允許的最大漏源耗散功率.使用時(shí),場(chǎng)效應(yīng)管實(shí)際功耗應(yīng)小于 PDSM 并留有一定余量.此參數(shù)一般會(huì)隨結(jié)溫度的上升而有所減額.(此參數(shù)靠不?。?/span>


VGS :最大柵源電壓.,一般為:-20V~+20V


Tj :最大工作結(jié)溫.通常為 150 ℃或 175 ℃ ,器件設(shè)計(jì)的工作條件下須確應(yīng)避免超過(guò)這個(gè)溫度,并留有一定裕量. (此參數(shù)靠不住)


TSTG :存儲(chǔ)溫度范圍。


2、靜態(tài)參數(shù)

V(BR)DSS :漏源擊穿電壓.是指柵源電壓 VGS 為 0 時(shí),場(chǎng)效應(yīng)管正常工作所能承受的最大漏源電壓.這是一項(xiàng)極限參數(shù),加在場(chǎng)效應(yīng)管上的工作電壓必須小于 V(BR)DSS . 它具有正溫度特性.故應(yīng)以此參數(shù)在低溫條件下的值作為安全考慮. 加負(fù)壓更好。


△V(BR)DSS/ △ Tj :漏源擊穿電壓的溫度系數(shù),一般為 0.1V/ ℃.


RDS(on) :在特定的 VGS (一般為 10V )、結(jié)溫及漏極電流的條件下, MOSFET 導(dǎo)通時(shí)漏源間的最大阻抗.它是一個(gè)非常重要的參數(shù),決定了 MOSFET 導(dǎo)通時(shí)的消耗功率.此參數(shù)一般會(huì)隨結(jié)溫度的上升而有所增大(正溫度特性). 故應(yīng)以此參數(shù)在最高工作結(jié)溫條件下的值作為損耗及壓降計(jì)算.


VGS(th) :開(kāi)啟電壓(閥值電壓).當(dāng)外加?xùn)艠O控制電壓 VGS超過(guò) VGS(th) 時(shí),漏區(qū)和源區(qū)的表面反型層形成了連接的溝道.應(yīng)用中,常將漏極短接條件下 ID 等于 1 毫安時(shí)的柵極電壓稱為開(kāi)啟電壓.此參數(shù)一般會(huì)隨結(jié)溫度的上升而有所降低.


IDSS :飽和漏源電流,柵極電壓 VGS=0 、 VDS 為一定值時(shí)的漏源電流.一般在微安級(jí).


IGSS :柵源驅(qū)動(dòng)電流或反向電流.由于 MOSFET 輸入阻抗很大,IGSS 一般在納安級(jí).


常用場(chǎng)效應(yīng)管參數(shù)手冊(cè)大全

Cds---漏-源電容

Cdu---漏-襯底電容

Cgd---柵-源電容

Cgs---漏-源電容

Ciss---柵短路共源輸入電容

Coss---柵短路共源輸出電容

Crss---柵短路共源反向傳輸電容

D---占空比(占空系數(shù),外電路參數(shù)) di/dt---電流上升率(外電路參數(shù)) dv/dt---電壓上升率(外電路參數(shù)) ID---漏極電流(直流)

IDM---漏極脈沖電流

ID(on)---通態(tài)漏極電流

IDQ---靜態(tài)漏極電流(射頻功率管) IDS---漏源電流

IDSM---最大漏源電流

IDSS---柵-源短路時(shí),漏極電流

IDS(sat)---溝道飽和電流(漏源飽和電流) IG---柵極電流(直流)

IGF---正向柵電流

IGR---反向柵電流

IGDO---源極開(kāi)路時(shí),截止柵電流

IGSO---漏極開(kāi)路時(shí),截止柵電流

IGM---柵極脈沖電流

IGP---柵極峰值電流

IF---二極管正向電流

IGSS---漏極短路時(shí)截止柵電流

IDSS1---對(duì)管第一管漏源飽和電流

IDSS2---對(duì)管第二管漏源飽和電流

Iu---襯底電流

Ipr---電流脈沖峰值(外電路參數(shù)) gfs---正向跨導(dǎo)

Gp---功率增益

Gps---共源極中和高頻功率增益

GpG---共柵極中和高頻功率增益

GPD---共漏極中和高頻功率增益

ggd---柵漏電導(dǎo)

gds---漏源電導(dǎo)

K---失調(diào)電壓溫度系數(shù)

Ku---傳輸系數(shù)

L---負(fù)載電感(外電路參數(shù))

rDS(on)---漏源通態(tài)電阻

rDS(of)---漏源斷態(tài)電阻

rGD---柵漏電阻

rGS---柵源電阻

Rg---柵極外接電阻(外電路參數(shù)) RL---負(fù)載電阻(外電路參數(shù))

R(th)jc---結(jié)殼熱阻

R(th)ja---結(jié)環(huán)熱阻

PD---漏極耗散功率

PDM---漏極最大允許耗散功率

PIN--輸入功率

POUT---輸出功率

PPK---脈沖功率峰值(外電路參數(shù)) to(on)---開(kāi)通延遲時(shí)間

td(off)---關(guān)斷延遲時(shí)間

ti---上升時(shí)間

ton---開(kāi)通時(shí)間

toff---關(guān)斷時(shí)間

tf---下降時(shí)間

trr---反向恢復(fù)時(shí)間

Tj---結(jié)溫

Tjm---最大允許結(jié)溫

Ta---環(huán)境溫度

Tc---管殼溫度

Tstg---貯成溫度

VDS---漏源電壓(直流)

VGS---柵源電壓(直流)

VGSF--正向柵源電壓(直流)

VGSR---反向柵源電壓(直流)

VDD---漏極(直流)電源電壓(外電路參數(shù)) VGG---柵極(直流)電源電壓(外電路參數(shù)) Vss---源極(直流)電源電壓(外電路參數(shù)) VGS(th)---開(kāi)啟電壓或閥電壓

V(BR)DSS---漏源擊穿電壓

V(BR)GSS---漏源短路時(shí)柵源擊穿電壓 VDS(on)---漏源通態(tài)電壓

VDS(sat)---漏源飽和電壓

VGD---柵漏電壓(直流)

Vsu---源襯底電壓(直流)

VDu---漏襯底電壓(直流)

VGu---柵襯底電壓(直流)

Zo---驅(qū)動(dòng)源內(nèi)阻

η---漏極效率(射頻功率管)

Vn---噪聲電壓

aID---漏極電流溫度系數(shù)

ards---漏源電阻溫度系數(shù)


聯(lián)系方式:鄒先生

聯(lián)系電話:0755-83888366-8022

手機(jī):18123972950

QQ:2880195519

聯(lián)系地址:深圳市福田區(qū)車(chē)公廟天安數(shù)碼城天吉大廈CD座5C1

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