場(chǎng)效應(yīng)管參數(shù)手冊(cè)大全

型號(hào)	封裝	材料	用途	參數(shù)
KIA9N90H	TO-247	NMOS	逆變器	9A/900V
KIA9N90H	TO-220F	NMOS	安定器	9A/900V
KIA6110A	TO-251	NMOS	開(kāi)關(guān)電源	12A/100V
KIA100N03A	TO-263	NMOS	保護(hù)器	90A/30V
KIA10N80H	TO-220F	NMOS	逆變器	10A/80V
KIA4N60H	TO-220F	NMOS	逆變器	4A/600V
KIA4N60H	TO-262	NMOS	充電器	4A/600V
KIA13N50H	TO-263	NMOS	開(kāi)關(guān)電源	13A/500V
KIA24N50H	TO-3P	NMOS	逆變器	20A /500V
KIA1N65H	TO-251	NMOS	開(kāi)關(guān)電源	2A/600V
KIA20N50H	TO-220F	NMOS	逆變器	20A/500V
KIA2N60H	TO-251	NMOS	開(kāi)關(guān)電源	20A/600V
KIA2N65H	TO-251	NMOS	開(kāi)關(guān)電源	2A/650V
KIA28N50H	TO-3P	NMOS	開(kāi)關(guān)電源	28A/500V
KIA75NF75	TO-263	NMOS	電動(dòng)車(chē)	75A/75V
KIA2803A	TO-263	NMOS	保護(hù)器	150A/30V
KIA1N60H	TO-251	NMOS	開(kāi)關(guān)電源	1A/600V
KIA4360A	TO-252	NMOS	開(kāi)關(guān)電源	4A/650V
KIA16N50H	TO-247	NMOS	開(kāi)關(guān)電源	16A/500V
KIA2N60H	TO-220F	NMOS	開(kāi)關(guān)電源	2A/600V
KIA3N80H	TO-220F	NMOS	開(kāi)關(guān)電源	3A/800V
KIA10N60H	TO-220F	NMOS	開(kāi)關(guān)電源	9.5A/600V
KIA23P10A	TO-252	PMOS	報(bào)警器	-23A/-100V
KIA40N20A	TO-3P	NMOS	逆變器	40A /200V
KIA2806A	TO-3P	NMOS	逆變器	160A/60V
KIA4N60H	TO-251	NMOS	開(kāi)關(guān)電源	4A/600V
KIA4N65H	TO-251	NMOS	開(kāi)關(guān)電源	4A /650V
KIA20N40H	TO-3P	NMOS	逆變器	20A/400V
KIA18N20A	TO-220F	NMOS	開(kāi)關(guān)電源	18A/200V
KIA9N90H	TO-3P	NMOS	逆變器	9A/900V
KIA10N80H	TO-3P	NMOS	逆變器	50A/60V
KIA16N50H	TO-3P	NMOS	開(kāi)關(guān)電源	16A/500V
KIA50N06	TO-220F	NMOS	逆變器	50A/60V
KIA1N60H	TO-252	NMOS	開(kāi)關(guān)電源	1A/600V
KIA5N50HD	TO-252	NMOS	安定器	5A/500V
KIA830S	TO-252	NMOS	安定器	5A/550V
KIA18N50H	TO-247	NMOS	逆變器	18A/500V
KIA24N50H	TO-247	NMOS	逆變器	24A/500V
KIA28N50H	TO-247	NMOS	逆變器	28A/500V
KIA4N60H	TO-252	NMOS	開(kāi)關(guān)電源	4A/600V
KIA3510A	TO-263	NMOS	安定器	75A /100V
KIA35P10A	TO-252	PMOS	報(bào)警器	-35A/-100V
KIA7N60H	TO-263	NMOS	開(kāi)關(guān)電源	7A/600V
KIA7N65H	TO-263	NMOS	開(kāi)關(guān)電源	7A/650V
KIA840S	TO-263	NMOS	安定器	8A/500V
KIA4750S	TO-252	NMOS	安定器	9A/500V
KIA20N50H	TO-3P	NMOS	開(kāi)關(guān)電源	20A/500V
KIA28N50H	TO-247	NMOS	逆變器	28A/500V

MOS管選擇系統(tǒng)重要參數(shù)

1、負(fù)載電流IL

它直接決議于MOSFET的輸出才能；

2、輸入—輸出電壓

它受MOSFET負(fù)載占空比才能限制；

3、MOS開(kāi)關(guān)頻率FS

這個(gè)參數(shù)影響MOSFET開(kāi)關(guān)霎時(shí)的耗散功率；

4、MOSFET最大允許工作溫度

要滿足系統(tǒng)指定的牢靠性目的;

MOSFET設(shè)計(jì)選擇

一旦系統(tǒng)的工作條件（負(fù)載電流，開(kāi)關(guān)頻率，輸出電壓等）被肯定，功率MOSFET在參數(shù)方面的選擇如下：

1 、RDSON的值

最低的導(dǎo)通電阻，能夠減小損耗，并讓系統(tǒng)較好的工作。但是，較低電阻的MOSFET較高電阻器件。

2、 散熱

假如空間足夠大，能夠起到外部散熱效果，就能夠以較低本錢(qián)取得與較低RDSON一樣的效果。也能夠運(yùn)用外表貼裝MOSFET到達(dá)同樣效果，詳見(jiàn)下文第15行。

3 、MOSFET組合

假如板上空間允許，有時(shí)分，能夠用兩個(gè)較高RDSON的器件并聯(lián)，以取得相同的工作溫度，并且本錢(qián)較低。

場(chǎng)效應(yīng)管的主要特性參數(shù)

場(chǎng)效應(yīng)管的直流參數(shù)

1.夾斷電壓Up

在UDS為某一固定值的條件下，使ID等于一個(gè)微小電流值(幾微安)時(shí)，柵極上所加偏壓UGS就是夾斷電壓。它適用于結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管及耗盡型絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管。

2. 開(kāi)啟電壓UT

在UDS為某一固定值的條件下，使S 極與D 極之間形成導(dǎo)電溝道的UGS就是開(kāi)啟電壓。它只適用于增強(qiáng)型絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管。

3. 飽和電流IDSS

在UDS =0的條件下，漏極與源極之間所加電壓大于夾斷電壓時(shí)的溝道電流稱為飽和電流，它適用于耗盡型絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管。

4. 直流輸入電阻RGS

在場(chǎng)效應(yīng)管輸入端(即柵源之間)所加的電壓Ucs 與流過(guò)的柵極電流之比，稱作直流輸入電阻。絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管的直流輸入電阻比結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管大兩個(gè)數(shù)量級(jí)以上。結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管的直流輸入電阻為1 X 10 8Ω，而絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管的直流輸入電阻為1 X 10 12Ω 以上。

5. 漏源擊穿電壓BVDS

在增大漏師、電壓的過(guò)程中.使ID開(kāi)始劇增的UDS值，稱為漏源擊穿電壓。BVDS確定了場(chǎng)效應(yīng)管的使用電壓。

6. 柵源擊穿電壓BVGS

對(duì)結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管來(lái)說(shuō)，反向飽和電流開(kāi)始劇增時(shí)的UGS值，即為柵游、擊穿電壓。對(duì)于絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管來(lái)說(shuō)，它是使SiO2 絕緣層擊穿的電壓。

1、極限參數(shù)

ID :最大漏源電流.是指場(chǎng)效應(yīng)管正常工作時(shí),漏源間所允許通過(guò)的最大電流.場(chǎng)效應(yīng)管的工作電流不應(yīng)超過(guò) ID .此參數(shù)會(huì)隨結(jié)溫度的上升而有所減額.

IDM :最大脈沖漏源電流.體現(xiàn)一個(gè)抗沖擊能力，跟脈沖時(shí)間也有關(guān)系，此參數(shù)會(huì)隨結(jié)溫度的上升而有所減額.

PD :最大耗散功率.是指場(chǎng)效應(yīng)管性能不變壞時(shí)所允許的最大漏源耗散功率.使用時(shí),場(chǎng)效應(yīng)管實(shí)際功耗應(yīng)小于 PDSM 并留有一定余量.此參數(shù)一般會(huì)隨結(jié)溫度的上升而有所減額.（此參數(shù)靠不?。?/span>

VGS :最大柵源電壓.，一般為：-20V~+20V

Tj :最大工作結(jié)溫.通常為 150 ℃或 175 ℃ ,器件設(shè)計(jì)的工作條件下須確應(yīng)避免超過(guò)這個(gè)溫度,并留有一定裕量. （此參數(shù)靠不住）

TSTG :存儲(chǔ)溫度范圍。

2、靜態(tài)參數(shù)

V(BR)DSS :漏源擊穿電壓.是指柵源電壓 VGS 為 0 時(shí),場(chǎng)效應(yīng)管正常工作所能承受的最大漏源電壓.這是一項(xiàng)極限參數(shù),加在場(chǎng)效應(yīng)管上的工作電壓必須小于 V(BR)DSS . 它具有正溫度特性.故應(yīng)以此參數(shù)在低溫條件下的值作為安全考慮. 加負(fù)壓更好。

△V(BR)DSS/ △ Tj :漏源擊穿電壓的溫度系數(shù),一般為 0.1V/ ℃.

RDS(on) :在特定的 VGS (一般為 10V )、結(jié)溫及漏極電流的條件下, MOSFET 導(dǎo)通時(shí)漏源間的最大阻抗.它是一個(gè)非常重要的參數(shù),決定了 MOSFET 導(dǎo)通時(shí)的消耗功率.此參數(shù)一般會(huì)隨結(jié)溫度的上升而有所增大（正溫度特性）. 故應(yīng)以此參數(shù)在最高工作結(jié)溫條件下的值作為損耗及壓降計(jì)算.

VGS(th) :開(kāi)啟電壓(閥值電壓).當(dāng)外加?xùn)艠O控制電壓 VGS超過(guò) VGS(th) 時(shí),漏區(qū)和源區(qū)的表面反型層形成了連接的溝道.應(yīng)用中,常將漏極短接條件下 ID 等于 1 毫安時(shí)的柵極電壓稱為開(kāi)啟電壓.此參數(shù)一般會(huì)隨結(jié)溫度的上升而有所降低.

IDSS :飽和漏源電流,柵極電壓 VGS=0 、 VDS 為一定值時(shí)的漏源電流.一般在微安級(jí).

IGSS :柵源驅(qū)動(dòng)電流或反向電流.由于 MOSFET 輸入阻抗很大,IGSS 一般在納安級(jí).

常用場(chǎng)效應(yīng)管參數(shù)手冊(cè)大全

Cds---漏-源電容

Cdu---漏-襯底電容

Cgd---柵-源電容

Cgs---漏-源電容

Ciss---柵短路共源輸入電容

Coss---柵短路共源輸出電容

Crss---柵短路共源反向傳輸電容

D---占空比（占空系數(shù)，外電路參數(shù)） di/dt---電流上升率（外電路參數(shù)） dv/dt---電壓上升率（外電路參數(shù)） ID---漏極電流（直流）

IDM---漏極脈沖電流

ID(on)---通態(tài)漏極電流

IDQ---靜態(tài)漏極電流（射頻功率管） IDS---漏源電流

IDSM---最大漏源電流

IDSS---柵-源短路時(shí)，漏極電流

IDS(sat)---溝道飽和電流（漏源飽和電流） IG---柵極電流（直流）

IGF---正向柵電流

IGR---反向柵電流

IGDO---源極開(kāi)路時(shí)，截止柵電流

IGSO---漏極開(kāi)路時(shí)，截止柵電流

IGM---柵極脈沖電流

IGP---柵極峰值電流

IF---二極管正向電流

IGSS---漏極短路時(shí)截止柵電流

IDSS1---對(duì)管第一管漏源飽和電流

IDSS2---對(duì)管第二管漏源飽和電流

Iu---襯底電流

Ipr---電流脈沖峰值（外電路參數(shù)） gfs---正向跨導(dǎo)

Gp---功率增益

Gps---共源極中和高頻功率增益

GpG---共柵極中和高頻功率增益

GPD---共漏極中和高頻功率增益

ggd---柵漏電導(dǎo)

gds---漏源電導(dǎo)

K---失調(diào)電壓溫度系數(shù)

Ku---傳輸系數(shù)

L---負(fù)載電感（外電路參數(shù)）

rDS(on)---漏源通態(tài)電阻

rDS(of)---漏源斷態(tài)電阻

rGD---柵漏電阻

rGS---柵源電阻

Rg---柵極外接電阻（外電路參數(shù)） RL---負(fù)載電阻（外電路參數(shù)）

R(th)jc---結(jié)殼熱阻

R(th)ja---結(jié)環(huán)熱阻

PD---漏極耗散功率

PDM---漏極最大允許耗散功率

PIN--輸入功率

POUT---輸出功率

PPK---脈沖功率峰值（外電路參數(shù)） to(on)---開(kāi)通延遲時(shí)間

td(off)---關(guān)斷延遲時(shí)間

ti---上升時(shí)間

ton---開(kāi)通時(shí)間

toff---關(guān)斷時(shí)間

tf---下降時(shí)間

trr---反向恢復(fù)時(shí)間

Tj---結(jié)溫

Tjm---最大允許結(jié)溫

Ta---環(huán)境溫度

Tc---管殼溫度

Tstg---貯成溫度

VDS---漏源電壓（直流）

VGS---柵源電壓（直流）

VGSF--正向柵源電壓（直流）

VGSR---反向柵源電壓（直流）

VDD---漏極（直流）電源電壓（外電路參數(shù)） VGG---柵極（直流）電源電壓（外電路參數(shù)） Vss---源極（直流）電源電壓（外電路參數(shù)） VGS(th)---開(kāi)啟電壓或閥電壓

V（BR）DSS---漏源擊穿電壓

V（BR）GSS---漏源短路時(shí)柵源擊穿電壓 VDS(on)---漏源通態(tài)電壓

VDS(sat)---漏源飽和電壓

VGD---柵漏電壓（直流）

Vsu---源襯底電壓（直流）

VDu---漏襯底電壓（直流）

VGu---柵襯底電壓（直流）

Zo---驅(qū)動(dòng)源內(nèi)阻

η---漏極效率（射頻功率管）

Vn---噪聲電壓

aID---漏極電流溫度系數(shù)

ards---漏源電阻溫度系數(shù)

聯(lián)系方式：鄒先生

聯(lián)系電話：0755-83888366-8022

手機(jī)：18123972950

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