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12N60場(chǎng)效應(yīng)管參數(shù)-12N60C引腳圖 12A 600V PDF文件-KIA MOS管

信息來(lái)源:本站 日期:2018-06-07 

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一、12N60H產(chǎn)品描述

N溝道增強(qiáng)型硅柵功率MOSFET是專為高壓、高速功率開關(guān)應(yīng)用而設(shè)計(jì)的,如高效率開關(guān)電源、有源功率因數(shù)校正、基于半橋拓?fù)涞碾娮訜翩?zhèn)流器等

12N60場(chǎng)效應(yīng)管參數(shù)

12N60H PEF文件下載

二、12N60H產(chǎn)品特征

RDS(on)=0.53@VGS=10V

低柵電荷(典型的52nC)

快速交換能力

雪崩能量指定值

改進(jìn)的dv/dt能力


三、12N60H引腳圖

12N60場(chǎng)效應(yīng)管參數(shù)


G:gate 柵極S:source 源極D:drain 漏極

MOS管是金屬(Metal)—氧化物(Oxid)—半導(dǎo)體(Semiconductor)場(chǎng)效應(yīng)晶體管。市面上常有的一般為N溝道和P溝道。N溝道的電源一般接在D,輸出S,P溝道的電源一般接在S,輸出D。



四、12N60H參數(shù)范圍

產(chǎn)品型號(hào):KIA12N60H

工作方式:12A/600V

漏源電壓:600V

柵源電壓:±30A

漏電流連續(xù):12A

脈沖漏極電流:48A

雪崩能量:865mJ

耗散功率:231W

熱電阻:62.5℃/V

漏源擊穿電壓:600V

溫度系數(shù):0.7V/℃

柵極閾值電壓:2.0V

輸入電容:1850PF

輸出電容:180PF

上升時(shí)間:90ns

封裝形式:TO-220、220F


五、12N60H電路圖和波形

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