1N60H mos管現(xiàn)貨 KIA1N60H 1A/600V PDF文件下載-KIA mos管
信息來源：本站 日期：2018-03-24
KIA1N60H N溝道增強型硅柵功率MOSFET的設計高電壓，高速功率開關應用，如開關穩(wěn)壓器，開關轉(zhuǎn)換器，螺線管，電機驅(qū)動器，繼電器驅(qū)動程序。
1A, 600V, RDS(on) = 9.3? @VGS = 10V
低柵極電荷（典型的5.0nc）
高耐用性
快速切換的能力
雪崩能量
改進的dt／dt能力
產(chǎn)品型號：KIA1N60H
工作方式：1A/600V
漏源電壓：600V
柵源電壓：±30A
漏電流連續(xù)：1.0A
脈沖漏極電流：4.0A
雪崩電流：2.8A
雪崩能量：33mJ
耗散功率：28W
熱電阻：50℃/V
漏源擊穿電壓：600V
溫度系數(shù)：6.6V/℃
柵極閾值電壓：2.2V
輸入電容：120PF
輸出電容：20PF
上升時間：21ns
封裝形式：TO-92、251、252
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KIA1N60H |
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產(chǎn)品編號 |
KIA1N60H 1A/600V |
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產(chǎn)品特征 |
1A, 600V, R DS(on) = 9.3? @VGS = 10V 低柵極電荷（典型的5.0nc） 高耐用性 快速切換的能力 雪崩能量 改進的dt／dt能力 |
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適用范圍 |
適用于高速功率開關應用，如開關穩(wěn)壓器，開關，轉(zhuǎn)換器，螺線管，電機驅(qū)動器，繼電器驅(qū)動程序。 |
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封裝形式 |
TO-92、251、252 |
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PDF文件 |
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LOGO |
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廠家 |
KIA（可易亞） |
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網(wǎng)址 |
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PDF總頁數(shù) |
總3頁 |
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