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28N50現(xiàn)貨供應商 KIA28N50-28A500V PDF文件 4360參數(shù)詳細資料-KIA官網(wǎng)

信息來源:本站 日期:2018-02-09 

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KIA28N50參數(shù)指標

這是功率MOSFET采用先進的平面條形DMOS工藝生產(chǎn)的起亞。這種先進的技術(shù)已特別定制,以盡量減少的阻力,提供優(yōu)越的開關性能,在雪崩和換流模式下承受高能量脈沖。這些設備非常適合于高效率開關電源,有源功率因數(shù)校正的基礎上半橋拓撲。


KIA28N50特征

RDS(ON)= 0.17Ω@ VGS = 10v

低柵極電荷(典型的102nc)

快速切換的能力

雪崩能量

改進的dt/dt能力


KIA28N50參數(shù)

產(chǎn)品型號:KIA28N50

工作方式:28A/500V

漏源電壓:500V

柵源電壓:±30V

漏電流連續(xù):28A

脈沖漏極電流:112A

雪崩能量:1960mJ

耗散功率:479W

熱電阻:62.5℃/W

漏源擊穿電壓:500V

柵極閾值電壓:2.0V

輸入電容:4085 PF

輸出電容:474 PF

上升時間:87ns

封裝形式:TO-3P



KIA28N50
產(chǎn)品編號 KIA28N50(28A500V)
FET極性 N溝道MOSFET
產(chǎn)品工藝 功率MOSFET采用先進的平面條形DMOS工藝生產(chǎn)的起亞。這種先進的技術(shù)已特別定制,以盡量減少的阻力,提供優(yōu)越的開關性能,在雪崩和換流模式下承受高能量脈沖。
產(chǎn)品特征

RDS(ON)= 0.17Ω@ VGS = 10v

低柵極電荷(典型的102nc)

快速切換的能力

雪崩能量

改進的dt/dt能力

適用范圍 主要適用于高效率開關電源,有源功率因數(shù)校正的基礎上半橋拓撲
封裝形式 TO-3P
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廠家 KIA原廠家
網(wǎng)址 www.8090abc.com
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