16N50現(xiàn)貨供應(yīng)商-KIA16N50 16A/500V PDF下載 16N50參數(shù)資料-KIA官網(wǎng)
信息來源：本站 日期：2018-02-15
特征
RDS (on) = 0.32Ω@ VGS = 10V
低柵極電荷(典型45nC )
快速切換能力
雪崩能量
改進的數(shù)字電視/數(shù)字電視能力
參數(shù)
產(chǎn)品型號：KIA16N50
工作方式：16A/500V
漏源電壓：500V
柵源電壓：±30V
漏電流連續(xù)：16A
脈沖漏極電流：64A
雪崩能量：853mJ
耗散功率：38.5W
熱電阻：62.5℃/W
漏源擊穿電壓：500V
溫度系數(shù)：0.6V/℃
柵極閾值電壓：3.0V
輸入電容：2200PF
輸出電容：350PF
上升時間：170 ns
封裝形式：TO-247、TO-220F、TO-3P
 |
KIA16N50/HF/HH/HM |
| 產(chǎn)品編號 | KIA16N50（16A 500V） |
| FET極性 | N溝道MOSFET |
| 產(chǎn)品工藝 |
功率MOSFET是使用起亞先進的平面條紋DMOS技術(shù)生產(chǎn)的。這種先進的技術(shù)經(jīng)過特別定制，可最大限度地降低導(dǎo)通電阻，提供卓越的開關(guān)性能，并在雪崩和換向模式下承受高能量脈沖。 |
| 產(chǎn)品特征 |
RDS (on) = 0.32Ω@ VGS = 10V 低柵極電荷(典型45nC ) 快速切換能力 雪崩能量 改進的數(shù)字電視/數(shù)字電視能力 |
| 適用范圍 |
主要適用于高效率開關(guān)模式電源、基于半橋拓撲 |
| 封裝形式 |
TO-220F、TO-3P、TO-247 |
| PDF文件 |
 【直接在線預(yù)覽】 |
| LOGO |
 |
| 廠家 | KIA原廠家 |
| 網(wǎng)址 | www.kiaic.com |
| PDF頁總數(shù) | 總6頁 |
聯(lián)系方式：鄒先生
聯(lián)系電話：0755-83888366-8029
手機：18123972950
QQ：2880195519
聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)車公廟天安數(shù)碼城天吉大廈CD座5C1
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