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4665現(xiàn)貨供應商 KNF4665 7A/650V PDF文件 4665參數(shù)詳細資料-KIA 官網

信息來源:本站 日期:2018-02-07 

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KNF4665參數(shù)指標

功率MOSFET采用起亞的高級平面條形DMOS工藝生產。這種先進的技術已特別定制,以盡量減少對國家的阻力,提供優(yōu)越的開關性能,在雪崩和換流模式下承受高能量脈沖。這些設備非常適合于高效率開關電源,有源功率因數(shù)校正的基礎上半橋拓撲。


KNF4665特征

7.5A, 650V, RDS(on) typ. = 1.1Ω@VGS= 10 V

低柵極電荷(典型的25nc)

高耐用性

快速切換

100%雪崩測試

改進的dv / dt的能力


KNF4665參數(shù)

產品型號:KNF4665

工作方式:7A/650V

漏源電壓:650V

柵源電壓:±30V

漏電流連續(xù):7.5A

脈沖漏極電流:30A

雪崩能量:21mJ

耗散功率:147W

熱電阻:62.5℃/W

漏源擊穿電壓:650V

溫度系數(shù):0.65V/℃

柵極閾值電壓:2.0V

輸入電容:970 PF

輸出電容:40 PF

上升時間:21 ns

封裝形式:TO-220、TO-220F



KNF4665
產品編號 KNF4665(7A 650V
FET極性 N溝道MOSFET
產品工藝 功率MOSFET采用起亞的高級平面條形DMOS工藝生產。這種先進的技術已特別定制,以盡量減少對國家的阻力,提供優(yōu)越的開關性能,在雪崩和換流模式下承受高能量脈沖。這些設備非常適合于高效率開關電源,有源功率因數(shù)校正的基礎上半橋拓撲
產品特征

7.5A, 650V, RDS(on) typ. = 1.1Ω@VGS= 10 V

低柵極電荷(典型的25nc)

高耐用性

快速切換

100%雪崩測試

改進的dv / dt的能力

適用范圍 主要適合于高效率開關電源,有源功率因數(shù)校正的基礎上半橋拓撲
封裝形式 TO-220、TO-220F
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廠家 KIA原廠家
網址 www.8090abc.com
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聯(lián)系方式:鄒先生

聯(lián)系電話:0755-83888366-8022

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QQ:2880195519

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