16N50現(xiàn)貨供應商 KIA16N50 16A/50V PDF文件 16N50參數(shù)詳細資料-KIA
信息來源：本站 日期：2018-02-05
功率MOSFET采用先進的平面條形DMOS工藝生產(chǎn)的起亞。這種先進的技術已特別定制，以盡量減少對國家的阻力，提供優(yōu)越的開關。性能，在雪崩和換流模式下承受高能量脈沖。這些設備非常適合于高效率開關電源，有源功率因數(shù)校正的基礎上半橋拓撲。
KIA16N50特征
RDS（ON）= 0.32Ω@ VGS = 10v
低柵極電荷（典型的45nc）
快速切換的能力
雪崩能量
改進的dt／dt能力
KIA16N50應用
高效率開關電源，有源功率因數(shù)校正的基礎上半橋拓撲。
參數(shù)指標
產(chǎn)品型號：KIA16N50
工作方式：16A/500V
漏源電壓：500V
柵源電壓：±30V
漏電流連續(xù)：16*A
雪崩能量：853mJ
功率耗損：38.5W
熱電阻：62.5℃/W
漏源擊穿電壓：38.5V
柵極閾值電壓：3.0V
輸入電容：2200 PF
輸出電容：350 PF
上升時間：170 ns
封裝形式：TO-220F、TO-3P、TO-247
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KIA16N50（16A 500V） |
| 產(chǎn)品編號 | KIA16N50HF/HH/HM |
| FET極性 | N溝道MOSFET |
| 產(chǎn)品工藝 |
功率MOSFET采用先進的平面條形DMOS工藝生產(chǎn)的起亞。這種先進的技術已特別定制，以盡量減少對國家的阻力，提供優(yōu)越的開關。性能，在雪崩和換流模式下承受高能量脈沖。這些設備非常適合于高效率開關電源，有源功率因數(shù)校正的基礎上半橋拓撲。
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| 產(chǎn)品特征 |
RDS（ON）= 0.32Ω@ VGS = 10v 低柵極電荷（典型的45nc） 快速切換的能力 雪崩能量 改進的dt／dt能力 |
| 適用范圍 |
主要適用于高效率開關電源，有源功率因數(shù)校正的基礎上半橋拓撲 |
| 封裝形式 | TO-220F、TO-3P、TO-247 |
| PDF文件 |
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| LOGO |
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| 廠家 | KIA原廠家 |
| 網(wǎng)址 | www.8090abc.com |
| PDF頁總數(shù) | 總6頁 |
聯(lián)系方式：鄒先生
聯(lián)系電話：0755-83888366-8022
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