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16N50現(xiàn)貨供應商 KIA16N50 16A/50V PDF文件 16N50參數(shù)詳細資料-KIA

信息來源:本站 日期:2018-02-05 

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KIA16N50參數(shù)指標

功率MOSFET采用先進的平面條形DMOS工藝生產(chǎn)的起亞。這種先進的技術已特別定制,以盡量減少對國家的阻力,提供優(yōu)越的開關。性能,在雪崩和換流模式下承受高能量脈沖。這些設備非常適合于高效率開關電源,有源功率因數(shù)校正的基礎上半橋拓撲。


KIA16N50特征

RDS(ON)= 0.32Ω@ VGS = 10v

低柵極電荷(典型的45nc)

快速切換的能力

雪崩能量

改進的dt/dt能力


KIA16N50應用

高效率開關電源,有源功率因數(shù)校正的基礎上半橋拓撲。


參數(shù)指標

產(chǎn)品型號:KIA16N50

工作方式:16A/500V

漏源電壓:500V

柵源電壓:±30V

漏電流連續(xù):16*A

雪崩能量:853mJ

功率耗損:38.5W

熱電阻:62.5℃/W

漏源擊穿電壓:38.5V

柵極閾值電壓:3.0V

輸入電容:2200 PF

輸出電容:350 PF

上升時間:170 ns

封裝形式:TO-220F、TO-3P、TO-247



KIA16N50(16A 500V
產(chǎn)品編號 KIA16N50HF/HH/HM
FET極性 N溝道MOSFET
產(chǎn)品工藝

功率MOSFET采用先進的平面條形DMOS工藝生產(chǎn)的起亞。這種先進的技術已特別定制,以盡量減少對國家的阻力,提供優(yōu)越的開關。性能,在雪崩和換流模式下承受高能量脈沖。這些設備非常適合于高效率開關電源,有源功率因數(shù)校正的基礎上半橋拓撲。


產(chǎn)品特征

RDS(ON)= 0.32Ω@ VGS = 10v

低柵極電荷(典型的45nc)

快速切換的能力

雪崩能量

改進的dt/dt能力

適用范圍

主要適用于高效率開關電源,有源功率因數(shù)校正的基礎上半橋拓撲

封裝形式 TO-220F、TO-3P、TO-247
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廠家 KIA原廠家
網(wǎng)址 www.8090abc.com
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