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24N50現(xiàn)貨供應(yīng)商 KIA24N50 24A/500V KIA24N50 PDF文件-KIA 官網(wǎng)

信息來源:本站 日期:2018-02-01 

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KIA10N65參數(shù)

功率MOSFET采用先進(jìn)的平面條形DMOS工藝生產(chǎn)的起亞。這種先進(jìn)的技術(shù)特別適合于最小化狀態(tài)電阻,提供優(yōu)越的開關(guān)性能,以及在雪崩和換流模式下承受高能量脈沖。這些器件非常適合于高效率開關(guān)電源,基于半橋拓?fù)涞挠性垂β室驍?shù)校正。



KIA10N65特征

RDS(ON) =0.16Ω@V GS =10 V

低柵極電荷(典型的90nc)

高耐用性

快速切換

100%雪崩測試

改進(jìn)的dt/dt能力


產(chǎn)品型號:KIA24N50

工作方式:24A/500V

漏源電壓:500V

柵源電壓:±30V

漏電流連續(xù):24A

脈沖漏極電流:96A

雪崩能量:1150mJ

耗散功率:290W

熱電阻:40℃/W

漏源擊穿電壓:500V

溫度系數(shù):0.5V/℃

柵極閾值電壓:2.0V

輸入電容:3500 PF

輸出電容:520 PF

上升時間:35 ns

封裝形式:TO-3P


KIA24N50(24A 500V
產(chǎn)品編號 KIA24N50/HH
FET極性 N溝道MOSFET
產(chǎn)品工藝 功率MOSFET采用先進(jìn)的平面條形DMOS工藝生產(chǎn)的起亞。這種先進(jìn)的技術(shù)特別適合于最小化狀態(tài)電阻,提供優(yōu)越的開關(guān)性能,以及在雪崩和換流模式下承受高能量脈沖
產(chǎn)品特征

RDS(ON) =0.16Ω@V GS =10 V

低柵極電荷(典型的90nc)

高耐用性

快速切換

100%雪崩測試

改進(jìn)的dt/dt能力

適用范圍 主要適合于高效率開關(guān)電源,基于半橋拓?fù)涞挠性垂β室驍?shù)校正
封裝形式 TO-3P
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廠家 KIA原廠家
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聯(lián)系電話:0755-83888366-8022

手機(jī):18123972950

QQ:2880195519

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