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7N65現(xiàn)貨供應(yīng)商 KIA7N65 7A/650V KIA7N65 PDF文件下載-KIA 官網(wǎng)

信息來源:本站 日期:2018-01-31 

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KIA7N65參數(shù)

功率MOSFET是用起亞半先進的平面條形DMOS工藝生產(chǎn)。這種先進的技術(shù)特別適合于最小化狀態(tài)電阻,提供優(yōu)越性。開關(guān)性能,并承受高能量脈沖在雪崩和減刑模式。非常適用于高效率開關(guān)電源,有源功率因數(shù)校正/基于半橋拓撲。


KIA7N65特征

RDS(on) =1.2@? VGS=10V

低柵極電荷(典型的29nc)

高耐用性

快速切換

100%雪崩測試

改進的dt/dt能力


產(chǎn)品型號:KIA7N65

工作方式:7A/650V

漏源電壓:650V

柵源電壓:±30V

漏電流連續(xù):7.0A

脈沖漏極電流:28A

雪崩能量:230mJ

耗散功率:147W

熱電阻:62.5℃/W

漏源擊穿電壓:650V

溫度系數(shù):0.7V/℃

柵極閾值電壓:2.0V

輸入電容:1000 PF

輸出電容:110 PF

上升時間:50 ns

封裝形式:TO-220、TO-220F、TO-263


KIA7N65(7A/650V
產(chǎn)品編號 KIA7N65/HB/HF
FET極性 N溝道MOSFET
產(chǎn)品工藝 功率MOSFET是用起亞半先進的平面條形DMOS工藝生產(chǎn)。這種先進的技術(shù)特別適合于最小化狀態(tài)電阻,提供優(yōu)越性。開關(guān)性能,并承受高能量脈沖在雪崩和減刑模式。非常適用于高效率開關(guān)電源,有源功率因數(shù)校正/基于半橋拓撲。
產(chǎn)品特征

RDS(on) =1.2@? VGS=10V

低柵極電荷(典型的29nc)

高耐用性

快速切換

100%雪崩測試

改進的dt/dt能力

適用范圍 主要適用于高效率開關(guān)電源,有源功率因數(shù)校正/基于半橋拓撲。
封裝形式 TO-220、TO-220F、TO-263
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廠家 KIA原廠家
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