IRF3205參數(shù)

功率金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管，利用先進(jìn)的處理技術(shù)達(dá)到每個(gè)硅片極低的導(dǎo)通阻抗。這樣有益于結(jié)合高速的開關(guān)和可靠使MOSFETS大量地實(shí)用設(shè)備上，使設(shè)計(jì)師能夠非常高效，可靠的應(yīng)用在各個(gè)方面。

D2Pak表面封裝的適合于小功率大面積小HEX-4。它能夠提供最大的功率輸出和最可能小的導(dǎo)通阻抗在現(xiàn)有的貼片封裝。

D2Pak適合與大電流應(yīng)用場合，是因?yàn)樗械偷膬?nèi)部連接阻抗和具有2W的散熱能力，是典型的貼片封裝應(yīng)用。

IRF3205特征

先進(jìn)的加工技術(shù)

極低的導(dǎo)通阻抗

動(dòng)態(tài)的dv/dt等級(jí)

175℃運(yùn)行溫度

充分的雪崩等級(jí)

IRF3205參數(shù)

漏極電流（連續(xù)）：110 A

脈沖漏極電流：390A

功率消散：200W

線性額定降低因數(shù) ：1.3 W/℃

門極電壓：±20

雪崩電流：62A

重復(fù)雪崩能量：20 mJ dv/dt

二極管恢復(fù)峰值電壓變化率：5.0 V/nS

工作節(jié)點(diǎn)溫度和保存溫度： -55（to） +175℃

焊接溫度，在10秒內(nèi)：300（假設(shè)為1.6mm）℃

MOSFET選型指標(biāo)

PartNumbe	VDss(V)	ID（A）	Max RDS(ON) @60%ID(Ω)	Typical RDS(ON) @60%ID(Ω)
IRF840	500	8	0.85	63
IRF7811	30	14	14	17
IRF610	200	3.3	1.5	8.2
IRF530	100	17	90	24.7
IRF634	250	8.1	0.45	54
IRF7413	30	13	11	44
IRF3710	100	57	23	86.7
IRF024	55	162	4	160
IRF630	200	9.5	300	23.3
IRf1404	40	162	4	160