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10N60現(xiàn)貨供應商 KIA10N60 PDF下載 10N60參數(shù)配置對比-KIA 官網(wǎng)

信息來源:本站 日期:2018-01-17 

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1、KIA10N60描述

N溝道增強型硅柵功率MOSFET的設計用于高壓、高速功率開關應用,如高效率開關電源,有源功率因數(shù)校正電子鎮(zhèn)流器基于半橋拓撲。


2、特征

RD= 0.6@ V GS = 10v

低柵極電荷(典型的44nc)

快速切換的能力

雪崩能量

改進的dt/dt能力

漏源反向電壓(vds): 600

柵源反向電壓(vgs):30

漏電流(連續(xù)):TC=250C

總功耗:TC=25oC、PD=50 W

結溫:TJ+150oC

貯藏溫度~ STG - 55 + 150oC

封裝形式:TO-220F


3、KIA10N06產(chǎn)品規(guī)格


10N60(9.5A 100V)
產(chǎn)品編號 KIA10N60H
產(chǎn)品工藝 10N60  N溝道增強型硅柵功率MOSFET的設計用于高壓、高速功率開關應用,如高效率開關電源,有源功率因數(shù)校正電子鎮(zhèn)流器基于半橋拓撲
特征

RD= 0.6?@ V GS = 10v

低柵極電荷(典型的44nc)

快速切換的能力

雪崩能量

改進的dt/dt能力

適用范圍 該產(chǎn)品適用于高速開關電源,PWM電機控制,高效率的DC至DC轉換器和橋電路
封裝形式 TO-220F
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廠家 KIA 原廠家
網(wǎng)址 www.8090abc.com
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