電機驅(qū)動mos,800vmos,?10a800v,KNF6180B場效應(yīng)管參數(shù)-KIA MOS管
信息來源：本站 日期：2025-03-07
KNF6180B漏源擊穿電壓800V，漏極電流10A；采用專有高壓平面VDMOS技術(shù)生產(chǎn)，改進(jìn)的工藝和單元結(jié)構(gòu)經(jīng)過特別定制，極低導(dǎo)通電阻RDS(開啟) 0.87Ω，可最大限度地降低導(dǎo)通電阻，高效低耗；低柵極電荷、低反向傳輸電容、改進(jìn)的dv/dt能力，實現(xiàn)快速切換；在雪崩和換向模式下承受高能脈沖，穩(wěn)定可靠；廣泛應(yīng)用于AC-DC電源、DC-DC轉(zhuǎn)換器和H橋PWM電機驅(qū)動器等；封裝形式：TO-220F。
漏源電壓：800V
漏極電流：10A
柵源電壓：±30V
脈沖漏電流：40A
單脈沖雪崩能量：983MJ
功率耗散：62W
閾值電壓：2-4V
總柵極電荷：32nC
輸入電容：1625PF
輸出電容：152PF
反向傳輸電容：6.4PF
開通延遲時間：28nS
關(guān)斷延遲時間：90nS
上升時間：42ns
下降時間：75ns
聯(lián)系方式：鄒先生
座機：0755-83888366-8022
手機：18123972950（微信同號）
QQ：2880195519
聯(lián)系地址：深圳市龍華區(qū)英泰科匯廣場2棟1902
搜索微信公眾號:“KIA半導(dǎo)體”或掃碼關(guān)注官方微信公眾號
關(guān)注官方微信公眾號：提供 MOS管 技術(shù)支持
免責(zé)聲明：網(wǎng)站部分圖文來源其它出處，如有侵權(quán)請聯(lián)系刪除。
