mos管米勒平臺(tái)形成原因,米勒平臺(tái)改善-KIA MOS管
信息來(lái)源：本站 日期：2025-02-21
mos管米勒平臺(tái)形成原因是什么呢？MOS的三個(gè)級(jí)之間都存在寄生電容：柵極與源極之間的寄生電容為Cgs，漏極與源極之間的寄生電容為Cds，柵極與漏極之間的寄生電容為Cgd。
輸入電容 Ciss = CGS + CGD
當(dāng)漏源短接時(shí)，交流信號(hào)測(cè)得的GS電容即為輸入電容。
輸入電容充電到閾值電壓時(shí)，MOSFET開啟。
輸出電容 Coss = CDS + CGD
輸出電容的充放電會(huì)產(chǎn)生COSS損耗。
反向傳輸電容 Crss = CGD
反向傳輸電容，也稱為米勒電容，導(dǎo)致米勒平臺(tái)。
米勒平臺(tái)的本質(zhì)：
當(dāng)MOSFET從截止區(qū)經(jīng)過(guò)放大區(qū)轉(zhuǎn)到可變電阻區(qū)時(shí)，對(duì)應(yīng)其開通過(guò)程（反之為關(guān)斷過(guò)程）。在放大區(qū)內(nèi)，由于米勒效應(yīng)，隨著Vds下降，CGD電容顯著增大。因此，給CGD電容充電的過(guò)程導(dǎo)致了米勒平臺(tái)。
米勒效應(yīng)的解釋：
理想放大器中，電抗變換導(dǎo)致電流增大，等效為電抗變小，輸入電抗變小對(duì)應(yīng)于電容的增大(Z=1/jwC)。
米勒平臺(tái)的危害：使MOS管開啟時(shí)上升沿時(shí)間變長(zhǎng)，MOS管發(fā)熱增多，損耗加大；（開關(guān)損耗增加）。
解決方法
增大驅(qū)動(dòng)功率，eg：使用MOS管專用驅(qū)動(dòng)芯片，使用圖騰柱電路。
柵源極之間增加一個(gè)電容，增加Cgs，使得MOS管更容易完全導(dǎo)通。
選擇Cgd小的MOS管：在選擇MOS管時(shí)，盡量選擇Cgd較小的器件，有助于減少米勒平臺(tái)的影響。
縮短驅(qū)動(dòng)信號(hào)布線長(zhǎng)度：減少寄生電感導(dǎo)致的米勒平臺(tái)震蕩電壓過(guò)沖，并選擇合適的柵極驅(qū)動(dòng)電阻。
使用合適的門極驅(qū)動(dòng)電阻：通過(guò)選擇合適的門極驅(qū)動(dòng)電阻RG來(lái)減緩米勒效應(yīng)的影響。
在GS端并聯(lián)電容：雖然會(huì)增加驅(qū)動(dòng)損耗，但可以有效抑制寄生電壓，防止米勒平臺(tái)震蕩。
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