cmos電路和cmos器件的特點以及優(yōu)化分析
信息來源：本站 日期：2017-08-11
CMOS的特性
CMOS電路和CMOS器件具有如下特性：
(1)功耗低。
(2)可以在低電壓下丁作/工作電壓范圍寬。
(3)噪聲余量大。
(4)容易集成化。
(5)輸入阻抗高。
(6)基于輸入電容的暫存記憶。
功耗低
CMOS器件具有宏大市場的最大理由就是功率耗費低。正如將CMOS反相器電路（圖10.4）置換為等效電路（圖10.5）時所看到的那樣，不管輸入的信號是“L”電平還是“H”電平，p溝MOS晶體管和n溝MOS晶體管中總有一個OFF，處于切斷／高阻抗狀態(tài)。就是說，在穩(wěn)定狀態(tài)下，沒有從電源(VDD)流向GND(Vss)的電流（貫串電流）。在輸入靜止，穩(wěn)定的“H”或者“L”狀態(tài)下，耗費功率（VDDXIDD）
無限地接近零。只要微小的外表漏電流和pn結漏電流。
在輸入信號“H”→“L”或者“L”一“H”轉(zhuǎn)變的過渡狀態(tài)，p溝MOS晶體管和n溝MOS晶體管兩者都處于ON的霎時，由于輸出級的耦合電容、浮游電容、負載電容等電容成分的充放電，會有電流活動。所以動態(tài)工作時的功耗不是零。
通常在停止數(shù)字信號處置的場所，輸入信號的上升時間、降落時間十分短（方波），所以貫串電流惹起的功耗不是什么大問題。但是，在應用中間電平的輸入信號的振蕩電路等應用電路巾，必需留意貫串電流惹起的功耗。例如，1MHz的石英振蕩電路中運用CMOS反相器時，大約有10mW的功率耗費。 IC的邏輯狀態(tài)是在“H”與“L”之間疾速的變動著。在停止高速數(shù)字信號處置的場所，由于要對CMOS器件內(nèi)外的電容成分停止充放電，所以如圖10.9所示，會產(chǎn)生相當?shù)碾娏骱馁M／功率耗費。在停止設計時，關于CMOS器件必需計算出IC本身所具有的電容成分，還要思索到動態(tài)工作時的功率耗費。
圖10. 10示出產(chǎn)生電流耗費的狀況。
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