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MOS器件的低電壓低規(guī)格趨勢(shì)|材料新應(yīng)用的方法

信息來(lái)源:本站 日期:2017-08-07 

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低電壓規(guī)格趨向

如今曾經(jīng)很少有制造商推出新型號(hào)的高壓VMOS(1000V以上),市場(chǎng)上的新品的電壓規(guī)格根本上集中在500一600V程度。主要的緣由是,低電壓規(guī)格的VMOS,在功耗方面具有明顯的優(yōu)勢(shì),而且電壓規(guī)格越低,這個(gè)優(yōu)勢(shì)越明顯。電壓規(guī)格低于100V以后,VMOS的低功耗優(yōu)勢(shì)簡(jiǎn)直是決議性的。其次是IGBT的開展,可以順應(yīng)150kHz硬開關(guān)的產(chǎn)品曾經(jīng)上市,而且IGBT在高電壓規(guī)格和大功率規(guī)格方面有著明顯的優(yōu)勢(shì)。


不過(guò),在電壓規(guī)格方而,(KIA)VMOS也不是完整沒(méi)有建樹,豐要開展是新型半導(dǎo)體資料的應(yīng)用,典型的例了是SiC,相似的開展也表現(xiàn)在IGBT方面。目前實(shí)用化的應(yīng)用是用基于肖特基勢(shì)壘的肖特基二極管替代傳統(tǒng)的體二極管,除了有利于降低VMOS的續(xù)流功耗,重要的是,可以進(jìn)步其抵御“雪崩能量”的才能。關(guān)于雪崩能量的問(wèn)題,相關(guān)的闡明在本書的第3章。
同樣從SiC資料受益的還有功率VFET,并且不局限于體二極管的產(chǎn)品也曾經(jīng)面世,電壓規(guī)格可達(dá)1700V,只是目前的產(chǎn)量和跟進(jìn)的制造商不多,市場(chǎng)前景還有待察看。


SiC資料的應(yīng)用,除了在電壓規(guī)格方面可以有所打破;在低壓產(chǎn)品中也是大有可為,那就是明顯進(jìn)步器件的適用開關(guān)頻率(圖1. 48)。當(dāng)然,新型半導(dǎo)體的應(yīng)用,并不儀儀限于SiC,曾經(jīng)開端應(yīng)用的新型半導(dǎo)體新資料還有GaN、GaAs等。

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