MOSFET模塊是什么,它的構(gòu)造和普通模塊有什么區(qū)別！
信息來(lái)源：本站 日期：2017-08-07
模塊的根本構(gòu)造和普通特征模塊的根本構(gòu)造如圖1．37所示。
為了減少大電流通道對(duì)控制電路的影響，模塊與單管相比，會(huì)有特地的控制電極。關(guān)于場(chǎng)效應(yīng)管而言，柵極只參與控制，源極既是控制電極，也是大電流通道的出入端，因而模塊通常會(huì)有兩個(gè)源極引出，一個(gè)稱(chēng)為副源極（第二源極），特地與柵極一同參與控制，另一個(gè)是主源極。主副源極在外形.L區(qū)別明顯，就像圖1. 37那樣。
不但是場(chǎng)效應(yīng)管模塊，常見(jiàn)的IGBT和GTR模塊同樣，普通均有特地的控制電極。控制電極是從模塊內(nèi)部的管芯上的端電極直接引出的，可以有效減少主電路中的大電流對(duì)控制電路的影響。
模塊的三個(gè)根本特征如下所示：
(1)多個(gè)管芯以絕緣方式組裝到金屬基板上。
(2)空心塑殼封裝，與空氣的隔絕資料是高壓硅脂或者硅脂以及其他可能的軟性絕緣資料。
(3)同一個(gè)制造商同一系列的產(chǎn)品，模塊的技術(shù)特性與同等規(guī)格的單管是根本相同的。
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