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NMOS開關(guān)電路測試圖文分享-KIA MOS管

信息來源:本站 日期:2022-07-07 

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NMOS開關(guān)電路測試圖文分享-KIA MOS管


以NMOS為例,測試NMOS作為開關(guān)的電路設(shè)計。試驗用的NOMS為RU75N08,其輸出特性曲線為:


NMOS 電路 測試


從輸出特性曲線可以看出,只要Vgs大于截止電壓4.5V,DS就可以導(dǎo)通了。測試時直接使Vgs=+12V,Vds=+48V,負(fù)載電流最大可達(dá)到50A。


為了方便單片機(jī)控制Vgs,可加一個三極管進(jìn)行電壓控制,加一個光耦進(jìn)行電氣隔離,通過單片機(jī)IO口電平高低來控制NOMS的通斷。


測試電路如下:

NMOS 電路 測試


IN接單片機(jī)IO口,IN為高電平時,發(fā)光二極體通過電流而發(fā)光,光敏元件受到光照后產(chǎn)生電流,光耦的NPN導(dǎo)通,PNP三極管Vb拉低,PNP導(dǎo)通,Vgs > 4.5V,NMOS導(dǎo)通,負(fù)載工作;


IN為低電壓時,光耦不工作,PNP三極管Ve=Vb,PNP截止,Vgs = 0V,NMOS截止,負(fù)載不工作。


可以通過控制IN實現(xiàn)NMOS開關(guān)作用。



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