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功率MOSFETt模塊,功率模塊最全面解決方案

信息來源:本站 日期:2017-08-03 

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MOSFET模塊的優(yōu)勢

模塊(Module)是將多個管芯組裝到同一個密封外殼內(nèi)的電路組件,目的是為了取得更大的電流規(guī)格或者電壓規(guī)格,根本的辦法是并聯(lián)(取得大電流)和串聯(lián)(取得高耐壓),由于串聯(lián)需求特殊的隔離驅(qū)動電路,因而常見的模塊是大電流規(guī)格的并聯(lián)類型。

假如具備相當?shù)募夹g(shù)檢測條件,模塊與多個分立元件的晶體管并聯(lián)電路并無本質(zhì)上的不同,而且后者可以到達更高的性能,但是消費本錢普通會更高,因為這需求更多的檢測和調(diào)試本錢。

公開的材料大都認可功率場效應(yīng)管由于沒有“二次擊穿。的現(xiàn)象,同時導(dǎo)通電阻又是負溫度特性(隨著溫度的升高,導(dǎo)通電阻增加),因而與BJT和IGBT相比而言,更容易并聯(lián)。雖然如此,同型號的功率場效應(yīng)管的并聯(lián)也不是隨意幾個就能夠的。    為了長期牢靠地工作,同型號、同批次、同規(guī)格(經(jīng)過檢驗停止刪選,誤差盡可能小而不是沒有)依然是多個功率場效應(yīng)管并聯(lián)運用的根本請求,從這個意義止說,模塊更有優(yōu)勢。

模塊的另一個優(yōu)勢是規(guī)范化的組裝下藝和環(huán)境,在凈化車間依照并聯(lián)的技術(shù)標準停止的專業(yè)化組裝,普通電子產(chǎn)品組裝車間的技術(shù)條件很難與之匹敵。

mosfet 芯片
MOSFET模塊為例,模塊的主要制造過程如圖1. 36所示。

總之,在最終產(chǎn)品的技術(shù)性能相同的狀況卜,模塊可以降低功水管自身和最終設(shè)備的消費本錢。需求留意的足,即便是以“技術(shù)性能相同”為前提條件,在很多狀況下,我們會聽到分立元件本錢更低的聲音,這是由于批最的緣由,分立元件更為通用,消費批量要比模塊大幾個數(shù)量級,因而在理論上,多數(shù)狀況下,模塊的本錢更高。


其次,模塊的中心技術(shù)是單管而不是模塊,模塊其實更像組裝技術(shù)—管,芯的組合與組裝。換言之,單管才是制造商的中心技術(shù)。


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