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槽柵MOS器件優(yōu)勢是什么包括理論及實(shí)驗(yàn)動研究

信息來源:本站 日期:2017-08-01 

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槽柵構(gòu)造有利于進(jìn)步電流控制才能,但是結(jié)電容大,不利于工作頻率的提高。將平而柵極構(gòu)造與雙擴(kuò)散有機(jī)分離起來,就LDMOS(Lateral DoubleDiffuse MOSFET,橫向雙擴(kuò)散MOSFET)(圖1.18)。

LDMOS的主要優(yōu)勢是結(jié)電容小、工作頻率高,合適于微波應(yīng)用。

微波功率放大器的封裝與常見的封裝不同(圖l.19),這是和微波功率放大相順應(yīng)的。微波功率放大應(yīng)用大都是漏極輸出、源極接地的電路(共源極電路),出于電路規(guī)劃的思索,TAB(本體散熱片)也需求和散熱器直接相連。LD-MOS的襯底(背電極)是源極而不是漏極,剛好能夠滿足這一需求,源極襯底可以直接和TAB相連(圖1.19),熱阻減小,有利于進(jìn)步功率耗散能才能。而垂直溝道的DMOS,襯底(背電極)是漏極,用于微波的垂直溝道MOS功率器件,通常是在TAB與襯底之間設(shè)置Be0(氧化鍍)隔離層,既增加了熱阻,又進(jìn)步了封裝本錢。


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