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MOS的集成:CMOS、BICMOS/BIMOS、HV-CMOS這幾個型號是有什么區(qū)別

信息來源:本站 日期:2017-07-31 

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MOS的集成 :CMOS,BiCMOS/BiMOS,HV-CMOS

CMOS(Complementary Metal-Oxide-Semiconductor Transistor,互補型金屬氧化物半導(dǎo)體)器件是目前比擬成熟的半導(dǎo)休集成下藝之一,能夠了解為集成電路中的橫向構(gòu)造MOSFET,為了進(jìn)步開關(guān)速度,降低功耗,采用一個N溝道(NMOS)和一個P溝道(PMOS)的互補構(gòu)造作為一個MOSFET來運用(圖1. 30)。CMOS的這種構(gòu)造互補構(gòu)造組成的電路方式在集成電路中應(yīng)用比擬廣泛,也不只限于FET,BJT也能夠,這種電路方式也稱為圖騰柱。與CMOS有關(guān)的公開材料相當(dāng)豐厚,中文材料也是如此,這里不再贅述。


CMOS曾經(jīng)普遍用于RAM和ROM中,直到目前,CMOS依然是最為省電的數(shù)字邏輯電路,也被以為是最為地道的邏輯電路,在請求性價比的應(yīng)用中,F(xiàn)lash ROM和BiCMOS逐步取代了CMOS。換言之,在很多應(yīng)用中,假如本錢不是問題,CMOS的優(yōu)勢依然不可替代,CMOS RAM采用普通的堿性電池供電叮以堅持?jǐn)?shù)據(jù)長達(dá)7年左右。


BiCMOS( Bipolar CMOS)與BiMOS是同義詞,是雙極工藝和CMOS工藝的混血兒,這種本來是針對雙極性器件與MOS器件難以在同一芯片上集成的混合丁藝,目前具有尤叮比較的本錢優(yōu)勢,并且叮以用于功率晶體管和IC的制造。


目前常用場效應(yīng)管、KIAmos管的功率控制IC的常見工藝根本上就是上述兩大類:BiCMOS和HV-CMOS,本來非主流的SOI( Silicon-On-Insulator,硅隔離)工藝正在開展中(圖1. 31)。

進(jìn)步電壓規(guī)格能夠有效進(jìn)步控制功率,而且有些器件的驅(qū)動確實需求比擬高的電壓,如目前新興的大屏幕FPD(Flat-Panel Displays,平板顯現(xiàn)屏)中的PDP( Plasma Display Panels,等離子顯現(xiàn)屏)、FF.D( Field,F(xiàn).mission Displays,場致發(fā)射顯現(xiàn)屏)、EL(Electro Luminescent Displays,電致發(fā)光顯現(xiàn)屏)等等。


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