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mos管芯片-常用mos管芯片的應(yīng)用封裝結(jié)構(gòu)分析-KIA MOS管

信息來源:本站 日期:2017-07-31 

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HEXMOS與管芯構(gòu)造 , 為了增加水龍頭的流量,水龍頭能夠?qū)⒖趶阶龅煤艽螅@時(shí)分的水龍頭一般稱為“閥門”,當(dāng)然也能夠用多個(gè)小口徑的水龍頭來替代,只是工程上很少這樣用。


功率晶體管恰恰采用的是第二種辦法,用無數(shù)個(gè)“小晶體管”構(gòu)成更大功率的晶體管,假如是分立元件,這種辦法—般稱為“并聯(lián)”,關(guān)于單個(gè)晶體管,這種辦法稱為“多(單)元集成”。


HEXMOS就是門前最主流的一種MOSFET“管芯單元”的規(guī)劃方式(圖1. 20),專利是美國IR公司的。由于“管芯單元”的規(guī)劃外形呈”Hcxagonal(六邊形)而得名。

圖1. 20所示的是N溝道的HEXFET的構(gòu)造表示圖,圖中也畫出了電流的方向。由于MOSFET只能耐受比擬高的正向電壓,多數(shù)MOSFET曾經(jīng)內(nèi)置了維護(hù)二極管,這就是體二極管。關(guān)于體二極管,在后續(xù)章節(jié)中還會(huì)有細(xì)致引見。
需求闡明的是,這是一個(gè)3D構(gòu)造,漏極和漏區(qū)在垂直方向。每一個(gè)六邊形單元并不是一個(gè)“管芯單元”,而是多個(gè)“管芯單元”的排列組合。這一點(diǎn)從電子顯微鏡照片上能夠更為分明地看到(圖1. 21)。




每一個(gè)并聯(lián)的“小晶體管”稱為“Cell”或者“Chip Cell",普通中文材料都將其譯為“元胞”,本書則將它們稱為“管芯單元”,由于它們就是一個(gè)個(gè)完好的微型品體管。無論是小功率還是大功率晶體管,都包含不止一個(gè)這樣的“管芯單元”,只是數(shù)量不同而已。


最后封裝在一同的“管芯唯元”的匯合,就是“管芯”?!肮苄締卧痹凇肮苄尽鄙系呐帕修k法與多個(gè)分立元件的晶體管并聯(lián)排列辦法有很大的不同,但是目的是相同的:優(yōu)化電路規(guī)劃,減少占板面積。關(guān)于“管芯”而言,是在盡量小的硅片上包容盡量多的“管芯單元”。


雖然HEXFET是目前較為主流的規(guī)劃構(gòu)造,為很多第"方制造商所采用,但也不是獨(dú)一的規(guī)劃


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