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場效應(yīng)管主要參數(shù)是什么?電子元器件主要參數(shù)是什么?

信息來源:本站 日期:2017-07-21 

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場效應(yīng)管的主要參數(shù)

1.開啟電壓UT (MOSFET)

通常將剛剛形成導(dǎo)電溝道、出現(xiàn)漏極電流ID時(shí)對(duì)應(yīng)的柵一源電壓稱為開啟電壓,用UGS(th)或UT表示。

開啟電壓UT是MOS增強(qiáng)型管的參數(shù)。當(dāng)柵一源電壓UGS小于開啟電壓的絕對(duì)值時(shí),場效應(yīng)管不能導(dǎo)通。

2.夾斷電壓UP (JFET)

當(dāng)UDS為某一固定值(如10V),使ID等于某一微小電流(如50mA)時(shí),柵一源極間加的電壓即為夾斷電壓。當(dāng)UGS=UP時(shí),漏極電流為零。

3.飽和漏極電流IDSS (JFET)

飽和漏極電流IDSS是在UGS =0的條件下,場效應(yīng)管發(fā)生預(yù)夾斷時(shí)的漏極電流。IDSS型場效應(yīng)管所能輸出的最大電流。

4.直流輸入電阻RGS

直流輸入電阻RGS是漏一源短路,柵一源加電壓時(shí)柵一源極 之間的直流電阻。

結(jié)型場效應(yīng)管:RGS》107ΩMOS管:RGS>109~1015Ω。

5.跨導(dǎo)Gm

漏極電流的微變量與柵一源電壓微變量之比,即gm=△ID/△UGS。它是衡量場效應(yīng)管柵一源電壓對(duì)漏極電流控制能力的一個(gè)參數(shù)。gm相當(dāng)于三極管的hFE。

6.最大漏極功耗

最大漏極功耗PD=UDSID,相當(dāng)于三極管的PCM。


場效應(yīng)管
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