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【什么是場效應(yīng)管】場效應(yīng)管作用是什么

信息來源:本站 日期:2017-07-13 

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場效應(yīng)管的分類

場效應(yīng)管可分為兩類:一類足結(jié)型場效應(yīng)管,另一類是絕緣柵型場效應(yīng)管,也稱MOS管。結(jié)型場效應(yīng)管依據(jù)其溝道所采用的半導(dǎo)體資料,又分為N溝道和P溝道兩種;絕緣柵型場效應(yīng)管除有N溝道和P溝道之格外,還有加強(qiáng)型與耗盡型之分。如圖6-2所示。


1.結(jié)型場效應(yīng)管(簡稱JFET)


N溝道結(jié)型場效應(yīng)管的基體是一塊N型硅資料。從基體引出兩個電極分別叫源極(s)和漏極(D)。在基體兩邊各附一小片P型資料,其引出的電極叫柵極(G)。這樣,在溝道和柵極之間構(gòu)成廠兩個PN結(jié),當(dāng)柵極開路時,溝道就相當(dāng)于一個電阻,不同型號的管子其阻值相同,普通大約為數(shù)百歐到千歐。圖6-3所示為結(jié)型場效應(yīng)管的構(gòu)造與符號。

2.絕緣柵型場效應(yīng)管(簡稱MOSFET)

依據(jù)絕緣層所用資料之不同,絕緣柵型場效應(yīng)管有多品種型,目前應(yīng)用最普遍的一種是以二氧化硅(Si02)為絕緣層的金屬—氧化物—半導(dǎo)體(Metal-Oxide-Semiconductor)場效應(yīng)管,簡稱MOS場效應(yīng)管(MOSFET)。

絕緣柵型場效應(yīng)管分為加強(qiáng)型與耗盡型,每一類又有N溝道、P溝道之分。

絕緣柵型場效應(yīng)管的特性是輸人電阻高,便于做成集成電路。在一塊N型硅片上有兩個相距很近濃度很高的P擴(kuò)散區(qū),分別為源極和漏極。在源區(qū)與漏區(qū)之間的硅片上,有一層絕緣二氧化硅,絕緣層上掩蓋著金屬鋁,這就是柵極。柵極和其他電極之間是絕緣的,所以稱為絕緣柵型場效應(yīng)管。由于源、柵之間有一層氧化層,這種管子根本上沒有柵極電流,因而輸入阻抗十分高。圖6-4所示為絕緣柵型場效應(yīng)管的構(gòu)造與場效應(yīng)管符號。

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