mos器件漏極偏壓詳解原因 n溝道MOSFET
信息來(lái)源：本站 日期：2017-07-06
MOSFET按比例減少M(fèi)OSFET尺寸的縮減在一開(kāi)端即為一持續(xù)的趨向．在集成電路中，較小的器件尺寸可到達(dá)較高的器件密度，此外，較短的溝道長(zhǎng)度町改善驅(qū)動(dòng)電流（ID~1/L）以及工作時(shí)的特性，但是，由于電子器件尺寸的縮減，溝道邊緣（如源極、漏極及絕緣區(qū)邊緣）的擾動(dòng)將變得愈加重要，因而器件的特性將不再恪守長(zhǎng)溝道近似的假定．
當(dāng)器件尺寸縮減時(shí)，必需將短溝道效應(yīng)降至最低水平，以確保正常的器件特性及電路工作，在器件按比例減少設(shè)計(jì)叫需求一些原則，一個(gè)扼要維持長(zhǎng)溝道特性的辦法為將一切的尺寸及電壓，除上一按比例減少要素k(>1)，如此內(nèi)部電場(chǎng)將堅(jiān)持好像長(zhǎng)n溝道MOSFET普通，此辦法稱為定電場(chǎng)按比例減少.
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