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mos器件漏極偏壓詳解原因 n溝道MOSFET

信息來(lái)源:本站 日期:2017-07-06 

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MOSFET按比例減少M(fèi)OSFET尺寸的縮減在一開(kāi)端即為一持續(xù)的趨向.在集成電路中,較小的器件尺寸可到達(dá)較高的器件密度,此外,較短的溝道長(zhǎng)度町改善驅(qū)動(dòng)電流(ID~1/L)以及工作時(shí)的特性,但是,由于電子器件尺寸的縮減,溝道邊緣(如源極、漏極及絕緣區(qū)邊緣)的擾動(dòng)將變得愈加重要,因而器件的特性將不再恪守長(zhǎng)溝道近似的假定.



MOSFET按比例減少標(biāo)準(zhǔn)


當(dāng)器件尺寸縮減時(shí),必需將短溝道效應(yīng)降至最低水平,以確保正常的器件特性及電路工作,在器件按比例減少設(shè)計(jì)叫需求一些原則,一個(gè)扼要維持長(zhǎng)溝道特性的辦法為將一切的尺寸及電壓,除上一按比例減少要素k(>1),如此內(nèi)部電場(chǎng)將堅(jiān)持好像長(zhǎng)n溝道MOSFET普通,此辦法稱為定電場(chǎng)按比例減少.


不同器件參數(shù)與電路特性因子的定電場(chǎng)按比例減少的標(biāo)準(zhǔn),隨器件尺寸的縮減,其電路性能(速度以及導(dǎo)通時(shí)的功率損耗)得到增強(qiáng).但是,在實(shí)踐的IC制造中,較小器件的內(nèi)部電場(chǎng)常常被迫增加而很難堅(jiān)持固定.這主要是由于一些電壓因子(如電源供給、閾值電壓等)無(wú)法恣意縮減,由于亞閾值擺幅是無(wú)法被按比例減少的,所以,假若閾值電壓過(guò)低,則關(guān)閉態(tài)(offstate)(VG=0)的漏電流將會(huì)顯著增加,因而,待機(jī)功率(standbypower)損耗也將隨之上升。經(jīng)過(guò)按比例減少標(biāo)準(zhǔn),方能制造出具有溝道長(zhǎng)度短至20nm、十分高的跨導(dǎo)(>1000ms/mm)以及合理的亞閾值擺幅(約120mV/decade)的MOSFET,



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