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應(yīng)用領(lǐng)域

MODFET的基本原理

信息來(lái)源:本站 日期:2017-06-30 

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MODFET的基本原理

調(diào)制摻雜場(chǎng)效應(yīng)晶體管(modulatiorri-doped field effcct transistorJ.MODFET)為異質(zhì)結(jié)構(gòu)的場(chǎng)效應(yīng)器件.其他常用到的名稱有高電子遷移率晶體管(high electron mobility lran-sistor.HEMT)、二維電子氣場(chǎng)效應(yīng)晶體管(two-dimensional electron gas field-effect tran-sistor.TEGFET)

圖7,1、6為傳統(tǒng)MODFET的透視圖.MODFET的特征是柵極下方的異質(zhì)結(jié)結(jié)構(gòu)以及調(diào)制摻雜層,對(duì)于圖7:.16中的器件來(lái)說(shuō).AIGaAs為一寬禁帶半導(dǎo)體,而GaAs則為窄禁帶半導(dǎo)體.這兩種半導(dǎo)體是被調(diào)制摻雜的,也就是說(shuō),除了在極窄的區(qū)域如中并無(wú)摻雜外

AIGaAs是被摻雜的,而GaAs glil未破摻雜.AIGaAs中的電子將擴(kuò)散到無(wú)摻雜的GaAs中.




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