mos管的特點及特性-MOS管和IGBT的結構特點等詳解-KIA MOS管
信息來源：本站 日期：2020-07-15
mos管的特點是什么？MOS管，即金屬（Metal）—氧化物（Oxide）—半導體（Semiconductor）場效應晶體管，是一種應用場效應原理工作的半導體器件；和普通雙極型晶體管相比，MOS管具有輸入阻抗高、噪聲低、動態(tài)范圍大、功耗小、易于集成等優(yōu)勢，在開關電源、鎮(zhèn)流器、高頻感應加熱、高頻逆變焊機、通信電源等高頻電源領域得到了越來越普遍的應用。
場效應管主要有兩種類型，分別是結型場效應管（JFET）和絕緣柵場效應管（MOS管）。
MOS管即MOSFET，中文全稱是金屬 - 氧化物半導體場效應晶體管，由于這種場效應管的柵極被絕緣層隔離，所以又叫絕緣柵場效應管。
MOSFET又可分為N溝耗盡型和增強型；P溝耗盡型和增強型四大類。
有的MOSFET內部會有個二極管，這是體二極管，或者叫寄生二極管、續(xù)流二極管。
關于寄生二極管的作用，有兩種解釋：
1、MOSFET 的寄生二極管，作用是防止 VDD 過壓的情況下，燒壞 MOS 管，因為在過壓對 MOS 管造成破壞之前，二極管先反向擊穿，將大電流直接到地，從而避免 MOS 管被燒壞。
2、防止 MOS 管的源極和漏極反接時燒壞 MOS 管，也可以在電路有反向感生電壓時，為反向感生電壓提供通路，避免反向感生電壓擊穿MOS管。
MOSFET 具有輸入阻抗高、開關速度快、熱穩(wěn)定性好、電壓控制電流等特性，在電路中，可以用作放大器、電子開關等用途。
MOS管和IGBT管的內部結構如下圖所示。
IGBT是通過在MOSFET的漏極上追加層而構成的。
IGBT 的理想等效電路如下圖所示，IGBT 實際就是 MOSFET 和晶體管三極管的組合，MOSFET 存在導通電阻高的缺點，但 IGBT 克服了這一缺點，在高壓時 IGBT 仍具有較低的導通電阻。
另外，相似功率容量的 IGBT 和 MOSFET，IGBT 的速度可能會慢于 MOSFET，因為 IGBT 存在關斷拖尾時間，由于 IGBT 關斷拖尾時間長，死區(qū)時間也要加長，從而會影響開關頻率。
1、導通特性
導通的意義是作為開關，相當于開關閉合。Vgs滿足一定條件就會導通。
2、損失特性
導通后均有導通電阻存在，電流就會被電阻消耗能量，這部分叫做導通損耗；小功率的管子導通電阻一般幾毫歐幾十毫歐，Vgs電壓不一樣電阻也不一樣。管子在導通和截止時，兩端電壓有個降落過程，電流有個上升過程，在這段時間內管子的損失是電壓和電流的乘積，稱之為開關損失；通常開關損失比導通損失大很多，頻率越快，損失越大?？s短開關時間，降低開關頻率均能減小開關損失。
3、寄生電容驅動特性
GS GD之間存在寄生電容，MOS管的驅動理論上是對電容的充放電；對電容的充電需要一個電流，由于電容充電瞬間可以看成短路，所以瞬間電流會比較大，所以選型時需要注意抗沖擊電流大小。
4、寄生二極管
漏極源極之間有個寄生二極管也叫做體二極管，在感性負載（馬達繼電器）應用中，主要用來保護回路。不過體二極管只在單個MOS管中，集成芯片中是沒有的。
5、轉移特性
場效應管的轉移特性是指漏源電壓固定時，柵源電壓Vgs對漏極電流Id的控制特性；
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