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mos管飽和區(qū)電流公式與MOS的其他三個(gè)區(qū)域解析-KIA MOS管

信息來(lái)源:本站 日期:2019-12-19 

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mos管飽和區(qū)電流公式與MOS的其他三個(gè)區(qū)域解析

mos場(chǎng)效應(yīng)管四個(gè)區(qū)域

本文主要講mos管飽和區(qū)電流公式,但是我們先來(lái)看一下mos場(chǎng)效應(yīng)管四個(gè)區(qū)域詳解。


1)可變電阻區(qū)(也稱(chēng)非飽和區(qū))

滿(mǎn)足Ucs》Ucs(th)(開(kāi)啟電壓),uDs《UGs-Ucs(th),為圖中預(yù)夾斷軌跡左邊的區(qū)域其溝道開(kāi)啟。在該區(qū)域UDs值較小,溝道電阻基本上僅受UGs控制。當(dāng)uGs一定時(shí),ip與uDs成線(xiàn)性關(guān)系,該區(qū)域近似為一組直線(xiàn)。這時(shí)場(chǎng)效管D、S間相當(dāng)于一個(gè)受電壓UGS控制的可變電阻。


2)恒流區(qū)(也稱(chēng)飽和區(qū)、放大區(qū)、有源區(qū))

滿(mǎn)足Ucs≥Ucs(h)且Ubs≥UcsUssth),為圖中預(yù)夾斷軌跡右邊、但尚未擊穿的區(qū)域,在該區(qū)域內(nèi),當(dāng)uGs一定時(shí),ib幾乎不隨UDs而變化,呈恒流特性。i僅受UGs控制,這時(shí)場(chǎng)效應(yīng)管D、S間相當(dāng)于一個(gè)受電壓uGs控制的電流源。場(chǎng)效應(yīng)管用于放大電路時(shí),一般就工作在該區(qū)域,所以也稱(chēng)為放大區(qū)。


3)夾斷區(qū)(也稱(chēng)截止區(qū))

夾斷區(qū)(也稱(chēng)截止區(qū))滿(mǎn)足ucs《Ues(th)為圖中靠近橫軸的區(qū)域,其溝道被全部夾斷,稱(chēng)為全夾斷,io=0,管子不工作。


4)擊穿區(qū)位

擊穿區(qū)位于圖中右邊的區(qū)域。隨著UDs的不斷增大,PN結(jié)因承受太大的反向電壓而擊穿,ip急劇增加。工作時(shí)應(yīng)避免管子工作在擊穿區(qū)。


轉(zhuǎn)移特性曲線(xiàn)可以從輸出特性曲線(xiàn)。上用作圖的方法求得。例如在圖3( a)中作Ubs=6V的垂直線(xiàn),將其與各條曲線(xiàn)的交點(diǎn)對(duì)應(yīng)的i、Us值在ib- Uss 坐標(biāo)中連成曲線(xiàn),即得到轉(zhuǎn)移性曲線(xiàn),如圖3(b)所示。


mos管飽和區(qū)電流公式


mos管飽和區(qū)電流公式及其詳解

mos管飽和區(qū)電流公式,在強(qiáng)反型狀態(tài)下飽和區(qū)中的工作。小信號(hào)參數(shù)的值因MOS晶體管的工作區(qū)域而變化。假定MOS晶體管處于VGS比閾值電壓VT高得多的強(qiáng)反型狀態(tài),而且工作在飽和區(qū),求這種狀況下的小信號(hào)參數(shù)。


可將跨導(dǎo)gm表示如下:


mos管飽和區(qū)電流公式


在能夠疏忽溝道長(zhǎng)度調(diào)制效應(yīng)的狀況下,得到


mos管飽和區(qū)電流公式


這個(gè)跨導(dǎo)gm能夠用漏極電流ID表示為


mos管飽和區(qū)電流公式


也能夠用漏極電流ID和柵極-源極間電壓VGS表示為


mos管飽和區(qū)電流公式


體跨導(dǎo)gmb能夠由下式求得:


mos管飽和區(qū)電流公式


由式(1.18)和式(1.20),能夠分別導(dǎo)出


mos管飽和區(qū)電流公式


所以得到


mos管飽和區(qū)電流公式


應(yīng)用式(1.18),能夠?qū)⒙O電導(dǎo)表示為


mos管飽和區(qū)電流公式


應(yīng)用這些小信號(hào)參數(shù),能夠?qū)⑿⌒盘?hào)漏極電流id表示為下式:


mos管飽和區(qū)電流公式


MOS管的夾斷區(qū)和飽和區(qū)的區(qū)別是什么

柵極電壓可以產(chǎn)生溝道,也可以使溝道消失——夾斷;而源-漏電壓也有可能使MOSFET的溝道夾斷(局部夾斷),則溝道夾斷的電壓對(duì)應(yīng)有兩個(gè)電壓。一般,產(chǎn)生或者夾斷溝道的柵極電壓稱(chēng)為閾值電壓VT,而使溝道夾斷的源-漏電壓往往稱(chēng)為飽和電壓Vsat,因?yàn)檫@時(shí)的源-漏電流最大、并飽和(即與源-漏電壓無(wú)關(guān))。


(1) 耗盡型n-MOSFET:


耗盡型MOSFET在柵極電壓為0時(shí)即存在溝道。當(dāng)負(fù)柵電壓增大到使溝道夾斷(整個(gè)溝道均勻夾斷)時(shí),這時(shí)的柵電壓就稱(chēng)為夾斷電壓Vp——耗盡型MOSFET的閾值電壓。

在VGS>Vp時(shí),IDS=0,即為截止?fàn)顟B(tài)。


在VGS<Vp時(shí),存在溝道,IDS≠0:若VDS較低,則為線(xiàn)性導(dǎo)電狀態(tài);若VDS= (Vp-VGS)時(shí),則溝道在漏極端附近處夾斷(非整個(gè)溝道夾斷),漏極電流達(dá)到最大——飽和電流,這時(shí)的源-漏電壓就稱(chēng)為飽和電壓。飽和電壓也就是使溝道發(fā)生局部夾斷時(shí)的源-漏電壓。在VDS≥Vsat=(Vp-VGS)即為MOSFET的飽和區(qū)。


(2)增強(qiáng)型n-MOSFET:


增強(qiáng)型MOSFET在柵極電壓為0時(shí)即不存在溝道。當(dāng)正柵電壓增大到出現(xiàn)溝道時(shí),這時(shí)的柵極電壓特稱(chēng)為開(kāi)啟電壓Vop——增強(qiáng)型MOSFET的閾值電壓。


在VGS<Vop時(shí),沒(méi)有溝道,則IDS=0,即為截止?fàn)顟B(tài)。


在VGS>Vop時(shí),存在溝道,IDS≠0:若VDS較低,則為線(xiàn)性導(dǎo)電狀態(tài);若VDS≥ (VGS-Vop)時(shí),則溝道在漏極端附近處夾斷(非整個(gè)溝道夾斷),漏極電流達(dá)到最大、并飽和,MOSFET即進(jìn)入飽和狀態(tài)。溝道開(kāi)始夾斷時(shí)的源-漏電壓即為飽和電壓Vsat= (VGS-Vop)。


(3)溝道夾斷以后的導(dǎo)電性:


場(chǎng)效應(yīng)晶體管是依靠多數(shù)載流子在溝道中的導(dǎo)電來(lái)工作的。沒(méi)有溝道(柵極電壓小于閾值電壓時(shí)),即不導(dǎo)電——截止?fàn)顟B(tài)。出現(xiàn)了溝道(柵極電壓大于閾值電壓時(shí)),即可導(dǎo)電;并且在源-漏電壓增大到使得溝道在漏極端夾斷以后,其電流達(dá)到最大——飽和電流,即導(dǎo)電性能更好。為什么集電區(qū)能夠很好地導(dǎo)電?


因?yàn)闇系缞A斷區(qū)實(shí)際上就是載流子被耗盡的區(qū)域,其中存在有沿著溝道方向的電場(chǎng),所以只要有載流子到達(dá)夾斷區(qū)邊緣,就很容易被掃過(guò)夾斷區(qū)而到達(dá)漏極——輸出電流??梢?jiàn),溝道夾斷區(qū)與BJT的反偏集電結(jié)的勢(shì)壘區(qū)類(lèi)似,不但不起阻擋載流子的作用,而且還將有利于載流子的通過(guò)。因此,溝道夾斷以后,器件的輸出電流飽和,即達(dá)到最大。


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