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MOS管3400規(guī)格書下載-MOS管3400封裝-MOS管3400價格-KIA MOS管

信息來源:本站 日期:2019-11-14 

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MOS管3400原廠

KIA半導(dǎo)體是一家專業(yè)從事中、大、功率場效應(yīng)管(MOSFET)、快速恢復(fù)二極管、三端穩(wěn)壓管開發(fā)設(shè)計,集研發(fā)、生產(chǎn)和銷售為一體的國家高新技術(shù)企業(yè)。


MOS管3400


擁有20年多年的企業(yè)歷史及16年的品牌歷史的可易亞,多年來一直堅持創(chuàng)新技術(shù),專注自主研發(fā)及制造MOS管,引進(jìn)多臺國外先進(jìn)設(shè)備,業(yè)務(wù)含括功率器件的直流參數(shù)檢測、雪崩能量檢測、可靠性實驗、系統(tǒng)分析、失效分析等領(lǐng)域。強大的研發(fā)平臺,使得KIA在工藝制造、產(chǎn)品設(shè)計方面擁有知識產(chǎn)權(quán)35項,并掌握多項場效應(yīng)管核心制造技術(shù)。


MOS管3400參數(shù)、封裝、規(guī)格書等產(chǎn)品數(shù)據(jù)
(一)MOS管3400產(chǎn)品概述

KIA3400采用了先進(jìn)的溝槽技術(shù),提供給良好的RDS(on),低門電荷門極電壓低至2.5V。KIA3400適合用于負(fù)載開關(guān)或是用于脈寬調(diào)制應(yīng)用。KIA3400是標(biāo)準(zhǔn)產(chǎn)品(符合ROHS和Sony 259規(guī)范)。


(二)MOS管3400的產(chǎn)品特征

VDS(V)=30V

RDS(on)<40mΩ(VGS=10V,ID=4.8A)

RDS(on)<42mΩ(VGS=4.5V,ID=4.0A)

RDS(on)<55mΩ(VGS=2.5V,ID=3.5A)


(三)MOS管3400封裝圖


MOS管3400


(四)MOS管3400主要參數(shù)

型號:KIA3400

漏源電壓:30V

柵源電壓:±12V

持續(xù)漏電流:4.8A

脈沖漏極電流:30A

結(jié)溫和儲存溫度范圍:-55℃-150℃

漏源擊穿電壓:30V


MOS管3400


(五)MOS管3400規(guī)格書

在線查看及下載規(guī)格書,請點擊下圖。


MOS管3400


聯(lián)系方式:鄒先生

聯(lián)系電話:0755-83888366-8022

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