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關(guān)于LED開關(guān)損耗與功率MOS 管

信息來源:本站 日期:2017-05-09 

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1.開關(guān)損耗與功率MOS管的cgd和cgs以及芯片的驅(qū)動(dòng)能力和工作頻率有關(guān),所以要解決功率管的發(fā)燒可以從以下幾個(gè)方面解決:A、不能片面根據(jù)導(dǎo)通電阻大小來選擇MOS功率管,由于內(nèi)阻越小,cgs和cgd電容越大。如1N60的cgs為250pF左右,2N60的cgs為350pF左右,5N60的cgs為1200pF左右,差別太大了,選擇功率管時(shí),夠用就可以了。對(duì)于前者,留意不要將負(fù)載電壓設(shè)置的太高,固然負(fù)載電壓高,效率會(huì)高點(diǎn)。如果芯片消耗的電流為2mA,300V的電壓加在芯片上面,芯片的功耗為0.6W,當(dāng)然會(huì)引起芯片的發(fā)燒。有的工程師沒有留意到這個(gè)現(xiàn)象,直接調(diào)節(jié)sense電阻或者工作頻率達(dá)到需要的電流,這樣做可能會(huì)嚴(yán)峻影響LED的使用壽命。在均勻電流不變的條件下,只能看著光衰了。不管如何降頻沒有好處,只有壞處,所以一定要解決。


2.主要針對(duì)內(nèi)置電源調(diào)制器的高壓驅(qū)動(dòng)芯片。對(duì)于后者,可以嘗試以下幾個(gè)方面:a、將最小電流設(shè)置的再小點(diǎn);b、布線干凈點(diǎn),特別是sense這個(gè)樞紐路徑;c、將電感選擇的小點(diǎn)或者選用閉合磁路的電感;d、加RC低通濾波吧,這個(gè)影響有點(diǎn)不好,C的一致性不好,偏差有點(diǎn)大,不外對(duì)于照明來說應(yīng)該夠了。


3、LED電流大小終于談到重點(diǎn)了,我還沒有入門,只能瞎說點(diǎn)飽和的影響了。也但愿有專家能給個(gè)詳細(xì)指標(biāo),要不然影響LED的推廣。 B、剩下的就是頻率和驅(qū)動(dòng)能力了,這里只談?lì)l率的影響。想辦法降低頻率吧!不外要留意,當(dāng)頻率降低時(shí),為了得到相同的負(fù)載能力,峰值電流必定要變大或者電感也變大,這都有可能導(dǎo)致電感進(jìn)入飽和區(qū)域。假如散熱解決的不好的話,LED一定要降額使用。


4、工作頻率降頻功率管的功耗分成兩部門,開關(guān)損耗和導(dǎo)通損耗。變壓器飽和時(shí),L會(huì)變小,導(dǎo)致傳輸delay引起的峰值電流增量急劇上升,那么LED的峰值電流也隨著增加。要留意,大多數(shù)場(chǎng)合特別是LED市電驅(qū)動(dòng)應(yīng)用,開關(guān)損害要弘遠(yuǎn)于導(dǎo)通損耗。


5、芯片發(fā)燒
建議仍是盡量控制小點(diǎn)。再簡樸一點(diǎn),就是考慮更好的散熱吧。

LEDripple過大的話,LED壽命會(huì)受到影響,影響有多大,也沒見過哪個(gè)專家說過。輸入電壓和負(fù)載電壓的比例小、系統(tǒng)干擾大。頻率與導(dǎo)通損耗也成正比,所以功率管發(fā)燒時(shí),首先要想想是不是頻率選擇的有點(diǎn)高。所以說,在設(shè)計(jì)前,公道的計(jì)算是必需的,假如理論計(jì)算的參數(shù)和調(diào)試參數(shù)差的有點(diǎn)遠(yuǎn),要考慮是否降頻和變壓器是否飽和。以前問過LED廠這個(gè)數(shù)據(jù),他們說30%以內(nèi)都可以接受,不外后來沒有經(jīng)由驗(yàn)證。碰到這種情況,要看看電感電流波形。


6、電感或者變壓器的選擇

這個(gè)也是用戶在調(diào)試過程中比較常見的現(xiàn)象,降頻主要由兩個(gè)方面導(dǎo)致。假如電感飽和電流夠大,可以考慮將CCM(連續(xù)電流模式)改變成DCM(非連續(xù)電流模式),這樣就需要增加一個(gè)負(fù)載電容了。良多用戶反應(yīng),相同的驅(qū)動(dòng)電路,用a出產(chǎn)的電感沒有題目,用b出產(chǎn)的電感電流就變小了。驅(qū)動(dòng)芯片的最大電流來自于驅(qū)動(dòng)功率MOS管散熱片的消耗,簡樸的計(jì)算公式為I=cvf(考慮充電的電阻效益,實(shí)際I=2cvf,其中c為功率MOS管的cgs電容,v為功率管導(dǎo)通時(shí)的gate電壓,所認(rèn)為了降低芯片的功耗,必需想辦法降低c、v和f.假如c、v和f不能改變,那么請(qǐng)想辦法將芯片的功耗分到芯片外的器件,留意不要引入額外的功耗。


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