MOS管原廠KIA品牌 KIA50N06B可替代FQP50N06規(guī)格書-KIA MOS管
信息來源：本站 日期：2019-04-29
MOS管KIA50N06B可替代FQP50N06，了解一下KIA半導體公司，深圳市可易亞半導體科技有限公司.是一家專業(yè)從事中、大、功率場效應管(MOSFET)、快速恢復二極管、三端穩(wěn)壓管開發(fā)設計，集研發(fā)、生產(chǎn)和銷售為一體的國家高新技術(shù)企業(yè)。
現(xiàn)已經(jīng)擁有了獨立的研發(fā)中心，研發(fā)人員以來自韓國(臺灣)超一流團隊，可以快速根據(jù)客戶應用領域的個性來設計方案，強大的研發(fā)平臺，使得KIA在工藝制造、產(chǎn)品設計方面擁有知識產(chǎn)權(quán)35項，并掌握多項場效應管核心制造技術(shù)。自主研發(fā)已經(jīng)成為了企業(yè)的核心競爭力。
KIA半導體的產(chǎn)品涵蓋工業(yè)、新能源、交通運輸、綠色照明四大領域，不僅包括光伏逆變及無人機、充電樁、這類新興能源，也涉及汽車配件、LED照明等家庭用品。KIA專注于產(chǎn)品的精細化與革新，力求為客戶提供最具行業(yè)領先、品質(zhì)上乘的科技產(chǎn)品。
從設計研發(fā)到制造再到倉儲物流，KIA半導體真正實現(xiàn)了一體化的服務鏈，真正做到了服務細節(jié)全到位的品牌內(nèi)涵，我們致力于成為場效應管（MOSFET）功率器件領域的領跑者，為了這個目標，KIA半導體正在持續(xù)創(chuàng)新，永不止步！
MOS管KIA50N06B可替代FQP50N06，下文有KIA50N06B和FQP50N06兩個MOS管型號的封裝、參數(shù)及規(guī)格書資料詳情。
1、RDS(on)=10.5mΩ@VGS=10V
2、無鉛綠色裝置
3、降低導電損耗
4、高雪崩電流
產(chǎn)品型號：KIA50N06B
工作方式：50A/60V
漏源極電壓：60V
柵源電壓：±25
脈沖漏電流：250A
雪崩電流：15A
雪崩能量：120MJ
漏源擊穿電壓：60V
柵電阻:1.0Ω
輸入電容：2060pF
輸出電容：755pF
反向轉(zhuǎn)移電容：375pF
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