MOS管 KIA18N20A 18A/200V原廠專業(yè)制造 規(guī)格書/封裝/價格-KIA MOS管
信息來源：本站 日期：2019-04-03
深圳市可易亞半導(dǎo)體科技有限公司（簡稱KIA半導(dǎo)體）.是一家專業(yè)從事中、大、功率場效應(yīng)管(MOSFET)、快速恢復(fù)二極管、三端穩(wěn)壓管開發(fā)設(shè)計，集研發(fā)、生產(chǎn)和銷售為一體的國家高新技術(shù)企業(yè)。
KIA半導(dǎo)體，已經(jīng)擁有了獨立的研發(fā)中心，研發(fā)人員以來自韓國(臺灣)超一流團隊，可以快速根據(jù)客戶應(yīng)用領(lǐng)域的個性來設(shè)計方案，同時引進多臺國外先進設(shè)備，業(yè)務(wù)含括功率器件的直流參數(shù)檢測、雪崩能量檢測、可靠性實驗、系統(tǒng)分析、失效分析等領(lǐng)域。
KIA半導(dǎo)體的產(chǎn)品涵蓋工業(yè)、新能源、交通運輸、綠色照明四大領(lǐng)域，不僅包括光伏逆變及無人機、充電樁、這類新興能源，也涉及汽車配件、LED照明等家庭用品。KIA專注于產(chǎn)品的精細化與革新，力求為客戶提供最具行業(yè)領(lǐng)先、品質(zhì)上乘的科技產(chǎn)品。
RDS(ON)=0.12Ω@VGS=10V
符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)
低導(dǎo)通電阻
低柵電荷
電視/監(jiān)視器
其他應(yīng)用等
型號：KIA18N20A
工作方式：18A/200V
漏源電壓：200V
連續(xù)漏電流:18A
功耗:156W
25℃以上的降額系數(shù):1.25W/oC
柵源電壓:±30V
峰值二極管恢復(fù)dv/dt:5.0V/ns
漏源擊穿電壓:200V
前向傳導(dǎo):18S
輸入電容:1140pF
輸出電容:180pF
反向轉(zhuǎn)移電容:25pF
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