國產(chǎn)高壓MOS管專業(yè)制造-國產(chǎn)高壓MOS管選型表|封裝|價格-KIA MOS管
信息來源：本站 日期：2019-03-28
深圳市可易亞半導體科技有限公司（簡稱KIA半導體）.是一家專業(yè)從事中、大、功率場效應(yīng)管(MOSFET)、快速恢復二極管、三端穩(wěn)壓管開發(fā)設(shè)計，集研發(fā)、生產(chǎn)和銷售為一體的國家高新技術(shù)企業(yè)。
KIA半導體，已經(jīng)擁有了獨立的研發(fā)中心，研發(fā)人員以來自韓國(臺灣)超一流團隊，可以快速根據(jù)客戶應(yīng)用領(lǐng)域的個性來設(shè)計方案，同時引進多臺國外先進設(shè)備，業(yè)務(wù)含括功率器件的直流參數(shù)檢測、雪崩能量檢測、可靠性實驗、系統(tǒng)分析、失效分析等領(lǐng)域。
強大的研發(fā)平臺，使得KIA在工藝制造、產(chǎn)品設(shè)計方面擁有知識產(chǎn)權(quán)35項，并掌握多項場效應(yīng)管核心制造技術(shù)。自主研發(fā)已經(jīng)成為了企業(yè)的核心競爭力。
KIA半導體的產(chǎn)品涵蓋工業(yè)、新能源、交通運輸、綠色照明四大領(lǐng)域，不僅包括光伏逆變及無人機、充電樁、這類新興能源，也涉及汽車配件、LED照明等家庭用品。KIA專注于產(chǎn)品的精細化與革新，力求為客戶提供最具行業(yè)領(lǐng)先、品質(zhì)上乘的科技產(chǎn)品。
專注于功率半導體開發(fā)得基礎(chǔ)，在2007年KIA在韓國浦項工科大學內(nèi)擁有了專業(yè)合作設(shè)計研發(fā)團隊得8英寸VD-MOS晶圓廠。我司KIA率先成功研最新型MOSFET系列產(chǎn)品，可以提供樣品，以及有多種封裝SOT-89 TO-92、262、263、251、220F、3P等,封裝是與國內(nèi)一流封裝廠家合作。
KIA半導體包裝展示圖：
（1）它是利用多數(shù)載流子導電，因此它的溫度穩(wěn)定性較好
（2）場效應(yīng)管的輸入端電流極小，因此它的輸入電阻很大
（3）場效應(yīng)管是電壓控制器件，它通過VGS來控制ID
（4）它組成的放大電路的電壓放大系數(shù)要小于三極管組成放大電路的電壓放大系數(shù)
（5）場效應(yīng)管的抗輻射能力強
（6）由于不存在雜亂運動的少子擴散引起的散粒噪聲，所以噪聲低
國產(chǎn)高壓MOS管型號表如下：
|
Part Numbe |
ID（A） |
BVDSS（v） |
Typical RDS(ON)@60% ID（Ω） |
MAX RDS(ON)@60% ID（Ω） |
ciss |
|
pF |
|||||
|
KNX4820A |
9 |
200 |
0.26 |
0.4 |
670 |
|
KNX4820B |
9 |
200 |
0.25 |
0.3 |
418 |
|
KIA18N20A |
18 |
200 |
0.12 |
0.18 |
1140 |
|
KNX9120A |
40 |
200 |
0.05 |
0.065 |
2800 |
|
KNX9130A |
40 |
300 |
0.11 |
0.13 |
3100 |
|
KNX3730A |
50 |
300 |
0.05 |
0.065 |
3400 |
|
KNX4820A |
9 |
200 |
0.26 |
0.4 |
670 |
|
KNX4820B |
9 |
200 |
0.25 |
0.3 |
418 |
|
KIA18N20A |
18 |
200 |
0.12 |
0.18 |
1140 |
|
KNX9120A |
40 |
200 |
0.05 |
0.065 |
2800 |
|
KNX9130A |
40 |
300 |
0.11 |
0.13 |
3100 |
|
KNX3730A |
50 |
300 |
0.05 |
0.065 |
3400 |
|
KIA6035A |
11 |
350 |
0.38 |
0.48 |
844 |
|
KNX4540A |
6 |
400 |
0.8 |
1 |
490 |
|
KNX6140A |
10 |
400 |
0.35 |
0.5 |
1254 |
|
KIA5N50H |
5 |
500 |
1.25 |
1.5 |
525 |
|
KIA840S |
8 |
500 |
0.7 |
0.9 |
960 |
|
KIA4750S |
9 |
500 |
0.7 |
0.9 |
960 |
|
KNX4850A |
9 |
500 |
0.7 |
0.9 |
960 |
|
KNX6450A |
13 |
500 |
0.4 |
0.48 |
2149 |
|
KNX6650A |
15 |
500 |
0.33 |
0.45 |
2148 |
|
KIA18N50H |
18 |
500 |
0.25 |
0.32 |
2500 |
|
KIA20N50H |
20 |
500 |
0.21 |
0.26 |
2700 |
|
KIA24N50H |
24 |
500 |
0.16 |
0.2 |
3500 |
|
KNX7650A |
25 |
500 |
0.17 |
0.21 |
4280 |
|
KNH8150A |
30 |
500 |
0.15 |
0.2 |
4150 |
|
KNX4360A |
4 |
600 |
1.9 |
2.3 |
511 |
|
KIA5N60E |
4.5 |
600 |
2 |
2.5 |
780 |
|
KNX4660A |
7 |
600 |
1 |
1.25 |
1120 |
|
KNX4760A |
8 |
600 |
0.85 |
1.1 |
1250 |
|
KIA10N60H |
9.5 |
600 |
0.6 |
0.73 |
1570 |
|
KIA12N60H |
12 |
600 |
0.53 |
0.65 |
1850 |
|
KNX7160A |
20 |
600 |
0.35 |
0.45 |
2800 |
|
KNX4365A |
4 |
650 |
2 |
2.5 |
523 |
|
KIA7N65H |
7 |
650 |
1.2 |
1.4 |
1000 |
|
KNX4665B |
7 |
650 |
1.1 |
1.4 |
1048 |
|
KNX4665A |
7.5 |
650 |
1.1 |
1.4 |
970 |
|
KIA10N65H |
10 |
650 |
0.65 |
0.75 |
1650 |
|
KNX6165A |
10 |
650 |
0.6 |
0.9 |
1554 |
|
KIA12N65H |
12 |
650 |
0.63 |
0.75 |
1850 |
|
KIA6N70H |
5.8 |
700 |
1.8 |
2.3 |
650 |
|
KIA7N80H |
7 |
800 |
1.4 |
1.9 |
1300 |
|
KIA10N80H |
10 |
800 |
0.85 |
1.1 |
2230 |
|
KIA9N90S |
9 |
900 |
1.05 |
1.4 |
2780 |
|
KNL42150A |
2.8 |
1500 |
6.5 |
9 |
1500 |
1.電路設(shè)計的問題，就是讓MOS管工作在線性的工作狀態(tài)，而不是在開關(guān)狀態(tài)。這也是導致MOS管發(fā)熱的一個原因。如果N-MOS做開關(guān)，G級電壓要比電源高幾V，才能完全導通，P-MOS則相反。沒有完全打開而壓降過大造成功率消耗，等效直流阻抗比較大，壓降增大，所以U*I也增大，損耗就意味著發(fā)熱。這是設(shè)計電路的最忌諱的錯誤。
2.頻率太高，主要是有時過分追求體積，導致頻率提高，MOS管上的損耗增大了，所以發(fā)熱也加大了。
3.沒有做好足夠的散熱設(shè)計，電流太高，MOS管標稱的電流值，一般需要良好的散熱才能達到。所以ID小于最大電流，也可能發(fā)熱嚴重，需要足夠的輔助散熱片。
4.MOS管的選型有誤，對功率判斷有誤，MOS管內(nèi)阻沒有充分考慮，導致開關(guān)阻抗增大。
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