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irf630場效應(yīng)管參數(shù)規(guī)格書-原裝正品場效應(yīng)管 價格詳情-KIA MOS管

信息來源:本站 日期:2019-02-21 

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irf630場效應(yīng)管參數(shù)

irf630場效應(yīng)管簡述

IR的第五代HEXFET功率場效應(yīng)管IRF630采用先進(jìn)的工藝技術(shù)制造,具有極低的導(dǎo)通阻抗。IRF630這種特性,加上快速的轉(zhuǎn)換速率,和以堅固耐用著稱的HEXFET設(shè)計,使得IRF630成為極其高效可靠、應(yīng)用范圍超廣的器件。


TO-220封裝的IRF630普遍適用于功耗在50W左右的工商業(yè)應(yīng)用,低熱阻和低成本的TO-220封裝,使IRF630得到業(yè)內(nèi)的普遍認(rèn)可。D2Pak封裝的IRF630適用于貼片安裝,比起現(xiàn)有的任何其他貼片封裝,可說是功率最高,導(dǎo)通阻抗最低。TO-262是IRF630的通孔安裝版,適合較低端的應(yīng)用。


irf630場效應(yīng)管特性

先進(jìn)的工藝技術(shù)

貼片安裝(IRF630NS)

低端通孔安裝(IRF630NL)

動態(tài)dv/dt率

175℃工作溫度

快速轉(zhuǎn)換速率

輕松并行

僅需簡單驅(qū)動

無鉛環(huán)保


irf630場效應(yīng)管參數(shù)詳情

漏極電流, Id 最大值:9A

電壓, Vds 最大:200V

開態(tài)電阻, Rds(on):0.4ohm

電壓 @ Rds測量:10V

電壓, Vgs 最高:3V

功率, Pd:100W

封裝類型, 替代:SOT-78B

引腳節(jié)距:2.54mm

時間, trr 典型值:170ns

晶體管數(shù):1

晶體管類型:MOSFET

滿功率溫度:25°C

電容值, Ciss 典型值:540pF

電流, Idm 脈沖:36A

表面安裝器件:通孔安裝

針腳格式:1G 2+插口 D 3S

閾值電壓, Vgs th 最低:2V

閾值電壓, Vgs th 最高:4V


irf630場效應(yīng)管參數(shù)附件

irf630場效應(yīng)管參數(shù)



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