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高壓MOS管7N80H 7A/800V 價(jià)格、供應(yīng)商及參數(shù)資料 免費(fèi)送樣-KIA MOS管

信息來(lái)源:本站 日期:2019-01-08 

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高壓MOS管7N80H產(chǎn)品描述

此功率MOSFET是采用SL半高級(jí)平面條紋DMOS工藝生產(chǎn)的。這先進(jìn)的技術(shù)已經(jīng)專門針對(duì)最小化通態(tài)電阻,提供了優(yōu)越的性能開關(guān)性能好,在雪崩和整流模式下能夠承受高能量的脈沖。這些是適用于高效率的開關(guān)電源,有功功率因數(shù)校正基于半橋拓?fù)洹?/span>


高壓MOS管7N80H特征詳情

RDS(on)=1.4ωVGS=10V

低柵電荷(典型的27Nc)

高韌性

快速切換

100%雪崩試驗(yàn)

改進(jìn)的dv/dt性能


高壓MOS管7N80H封裝與引腳圖

高壓MOS管,7N80H,7A/800V


高壓MOS管7N80H主要參數(shù)資料

型號(hào):KIA7N80H

工作方式:7A/800V

漏源極電壓:800V

柵源電壓:±30V

二極管峰值恢復(fù):4.5V/ns

運(yùn)行和儲(chǔ)存溫度范圍:-55℃至+150℃


高壓MOS管7N80H測(cè)試電路和波形特征

高壓MOS管,7N80H,7A/800V

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高壓MOS管7N80H PDF詳情

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高壓MOS管,7N80H,7A/800V



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