高壓MOS管 9N90 9A/900V PDF資料及封裝-MOS管原廠 免費送樣-KIA MOS管
信息來源：本站 日期：2019-01-07
此功率MOSFET采用KIA先進的平面條紋DMOS工藝生產(chǎn)。這先進的技術(shù)已特別定制，以盡量減少通態(tài)電阻，提供卓越的開關(guān)性能好，可承受雪崩和換相模式下的高能脈沖適用于高效率開關(guān)電源，有功功率因數(shù)校正基于半橋拓撲。
型號：KIA9N90S/KIA9N90H
工作方式：9A/900V
漏源極電壓：900V
排水電流:36A
柵源電壓：±30V
單脈沖雪崩能：900MJ
雪崩電流：9.0A
重復(fù)雪崩能：28MJ
峰值二極管恢復(fù)：4.0V/ns
運行和儲存溫度范圍：-55℃至+150℃
9A，900V
RDS(on)=1.12ωVGS=10V
低門電荷（典型的70納米）
低Crss（典型的14Pf）
快速切換
100%雪崩試驗
改進的數(shù)字視頻傳輸能力
1、KIA9N90S
2、KIA9N90H
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1、KIA9N90S
2、KIA9N90H
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