電動車控制器75N75型號參數(shù)及封裝-MOS在電動車控制器中的應用-KIA MOS管
信息來源：本站 日期：2018-12-04
75NF75是N溝道增強型功率場狀態(tài)特性穩(wěn)定、快速的效應晶體管開關速度，低熱阻，常用于電信和計算機應用。
RDS(ON)=12.5m? @VGS=10V
超低柵電荷（典型的90納米）
快速交換能力
指定雪崩能量
改進的dv/dt能力，堅固性高
產(chǎn)品型號：KIA75NF75
工作方式：80A/80V
漏源電壓：80V
柵源電壓：±25V
連續(xù)漏電流：80A/70A
脈沖漏電流：340A
雪崩電流：20A
雪崩能源:410MJ
最大功耗:240W/100W
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開通過程、導通狀態(tài)、關斷過程、截止狀態(tài)、擊穿狀態(tài)。
MOS主要損耗包括開關損耗（開通過程和關斷過程），導通損耗，截止損耗（漏電流引起的，這個忽略不計），還有雪崩能量損耗。電動車控制器場效應管只要把這些損耗控制在MOS承受規(guī)格之內，MOS即會正常工作，超出承受范圍，即發(fā)生損壞。
而開關損耗往往大于導通狀態(tài)損耗，尤其是PWM沒完全打開，處于脈寬調制狀態(tài)時（對應電動車的起步加速狀態(tài)），而最高急速狀態(tài)往往是導通損耗為主。
電動車控制器場效應管簡單來說電機是靠MOS的輸出電流來驅動的，輸出電流越大（為了防止過流燒壞MOS管，控制器有限流保護），電機扭矩就強，加速就有力。
我們電動車控制器場效應管和平常cmos集成電路中的小功率mos結構是不一樣的。小功率mos是平面型結構。而電動車上上用的功率mos是立體結構。平面型結構是指，mos柵極，源級和漏級都在芯片表面（或者說正面），而溝道也在芯片表面橫向排列。（我們常見的教科書的介紹mos原理一般都是拿平面結構介紹）。而功率mos的立體結構（溝道是深槽立體結構）是柵極和源級引線從芯片正面引出（其實柵極也不在表面而是內部，只是比較靠近表面），而漏級是從芯片背面引出（其實整個芯片背面都是漏級連接在一起的，整個個漏級用焊接材料直接焊接在金屬板上，就是mos的金屬背板，一般是銅鍍錫的），所以我們見到的mos一般金屬板和中間引腳（就是漏級）是完全導通的（有些特殊的封裝是可以做到金屬板和中間腳絕緣的）。
功率mos內部從漏級到源級是有一個二極管的，這個二極管基本上所有的功率mos都具有，和它本身結構有關系（不需要單獨制造，設計本身就有）。當然可以通過改變設計制造工藝，不造出這個二極管。但是這會影響芯片功率密度，要做到同樣耐壓和內阻，需要更大的芯片面積（因為結構不同）。大家只是知道這回事就行了。
我們所見的電動車控制器場效應管，其實內部由成千上萬個小mos管并聯(lián)而成（實際數(shù)量一般是上千萬個，和芯片面積和工藝有關）。如果在工作中，有一個或幾個小管短路，則整個mos表現(xiàn)為短路，當然大電流短路mos可能直接燒斷了（有時表現(xiàn)為金屬板和黑色塑封間開裂），又表現(xiàn)為開路。大家可能會想這上千萬個小mos應該很容易出現(xiàn)一個或幾個壞的吧，其實真沒那么容易，目前的制造工藝基本保證了這些小單位各種參數(shù)高度一致性。
它們的各種開關動作幾乎完全一致，當然最終燒壞時，肯定有先承受不了的小管先壞。所以管子的穩(wěn)定性和制造工藝密不可分，差的工藝可能導致這些小管的參數(shù)不那么一致。有時一點小的工藝缺陷（比如一個1um甚至更小的顆粒如果在關鍵位置）往往會造成整個芯片（缺陷所在的管芯）報廢。
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