人妻 日韩精品 中文字幕,特黄做受又粗又大又硬老头,性饥渴的老妇教我玩她,成人区人妻精品一区二区不卡视频

廣東可易亞半導(dǎo)體科技有限公司

國家高新企業(yè)

cn en

新聞中心

MOS管二級效應(yīng)-背柵效應(yīng)、溝道長度調(diào)制效應(yīng)、亞閾值效應(yīng)詳解-KIA MOS管

信息來源:本站 日期:2018-11-27 

分享到:

MOS管

mos管場效應(yīng)管(FET),把輸入電壓的變化轉(zhuǎn)化為輸出電流的變化。FET的增益等于它的跨導(dǎo), 定義為輸出電流的變化和輸入電壓變化之比。市面上常有的一般為N溝道和P溝道,詳情參考右側(cè)圖片(P溝道耗盡型MOS管)。而P溝道常見的為低壓mos管。


一個電場在一個絕緣層上來影響流過晶體管的電流。事實上沒有電流流過這個絕緣體,所以FET管的GATE電流非常小。最普通的FET用一薄層二氧化硅來作為GATE極下的絕緣體。這種晶體管稱為金屬氧化物半導(dǎo)體(MOS)晶體管,或,金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)管(MOSFET)。因為MOS管更小更省電,所以他們已經(jīng)在很多應(yīng)用場合取代了雙極型晶體管。

MOS管二級效應(yīng)


MOS管二級效應(yīng)

MOS管的二級效應(yīng)主要有三種:背柵效應(yīng)、溝道長度調(diào)制效應(yīng)、亞閾值效應(yīng)。


背柵效應(yīng)

在很多情況下,源極和襯底的電位并不相同。對NMOS管而言,襯底通常接電路的最低電位,有VBS≤0;對PMOS管而言,襯底通常接電路的最高電位,有VBS≥0。這時,MOS管的閾值電壓將隨其源極和襯底之間電位的不同而發(fā)生變化。這一效應(yīng)稱為“背柵效應(yīng)”。

以NMOS管為例,當(dāng)NMOS管VBS<0時,閾值電壓的變化規(guī)律。隨著VGS上升,柵極吸引襯底內(nèi)部的電子向襯底表面運動,并在襯底表面產(chǎn)生了耗盡層。當(dāng)VGS上升到一定的電壓——閾值電壓時,柵極下的襯底表面發(fā)生反型,NMOS管在源漏之間開始導(dǎo)電。


閾值電壓的大小和耗盡層的電荷量有關(guān),耗盡層的電荷量越多,NMOS管的開啟就越困難,閾值電壓——也就是開啟NMOS需要的電壓就越高。當(dāng)VBS<0時,柵極和襯底之間的電位差加大,耗盡層的厚度也變大,耗盡層內(nèi)的電荷量增加,所以造成閾值電壓變大。隨著VBS變小,閾值電壓上升,在VGS和VDS不變的情況下,漏極電流變小。因而襯底和柵極的作用類似,也能控制漏極電流的變化。所以我們稱它為“背柵”作用。


在電路設(shè)計上可采取一些措施來減弱或消除襯偏效應(yīng),例如把源極和襯底短接起來,當(dāng)然可以消除襯偏效應(yīng)的影響,但是這需要電路和器件結(jié)構(gòu)以及制造工藝的支持,并不是在任何情況下都能夠做得到的。例如,對于p阱CMOS器件,其中的n-MOSFET可以進行源-襯底短接,而其中的p-MOSFET則否;對于n阱CMOS器件,其中的p-MOSFET可以進行源-襯底短接,而其中的n-MOSFET則否。


另外可以改進電路結(jié)構(gòu)來減弱襯偏效應(yīng)。例如,對于CMOS中的負載管,若采用有源負載來代替之,即可降低襯偏調(diào)制效應(yīng)的影響(因為當(dāng)襯偏效應(yīng)使負載管的溝道電阻增大時,有源負載即提高負載管的VGS來使得負載管的導(dǎo)電能力增強)。


溝道長度調(diào)制效應(yīng)

MOS晶體管中,柵下溝道預(yù)夾斷后、若繼續(xù)增大Vds,夾斷點會略向源極方向移動。導(dǎo)致夾斷點到源極之間的溝道長度略有減小,有效溝道電阻也就略有減小,從而使更多電子自源極漂移到夾斷點,導(dǎo)致在耗盡區(qū)漂移電子增多,使Id增大,這種效應(yīng)稱為溝道長度調(diào)制效應(yīng)。


當(dāng)MOS管工作在飽和區(qū),導(dǎo)電溝道產(chǎn)生夾斷,溝道的長度從L變成了L’,L’


此時電流公式改寫為:

MOS管二級效應(yīng)


我們采用一個簡單的參數(shù)λ來表示VDS對漏極電流ID的影響,定義:

MOS管二級效應(yīng)


由此可以得到考慮了溝道長度調(diào)制效應(yīng)的MOS管飽和區(qū)的電流公式:

MOS管二級效應(yīng)


由于λ∝1/L,對于長溝道的器件而言(例如L>10um), λ的數(shù)值很小,λVDS<<1,所以這個誤差可以忽略。而溝道越短,這個誤差就越大。事實上,對于短溝道的MOS管,用一個簡單的參數(shù)λ來體現(xiàn)溝道長度調(diào)制效應(yīng)是非常不準(zhǔn)確的。因而我們有時會發(fā)現(xiàn),電路

電路仿真的結(jié)果和用公式計算出來的結(jié)果完全不同。所以說一階的近似公式更主要的是起到電路設(shè)計的指導(dǎo)作用。


亞閾值效應(yīng)

在前面對MOS管導(dǎo)電原理的分析中,我們認(rèn)為當(dāng)柵源電壓VGSVTH,溝道內(nèi)就出現(xiàn)了電流。而實際情況并不是這樣。即使在VGS

MOS管二級效應(yīng)


來表示。其中ID0是和工藝有關(guān)的參數(shù),η是亞閾值斜率因子,通常滿足1<η<3。當(dāng)VGS滿足的條件時,一般認(rèn)為MOS管進入了亞閾值區(qū)域.


當(dāng)MOS管二級效應(yīng)時,稱MOS管工作在強反型區(qū)。


當(dāng)MOS管二級效應(yīng)時,時稱MOS管工作在強反型區(qū)。


強反型區(qū)和弱反型區(qū)的劃分其實也是對MOS管實際工作特定的一種近似,只是它比前面講到的MOS管的一階近似更加準(zhǔn)確。從公式上分析,強反型區(qū)和弱反型區(qū)之間同樣存在著電流不連續(xù)的問題。為了解決這一問題,也是為了建立更精確的MOS管模型,在這兩個區(qū)之間又定義了中等反型區(qū)。


對于斜率因子η的解釋要從MOS管的電流變化講起。表征亞閾值特性的一個重要參數(shù)是柵極電壓的變化幅度,也就是MOS管從電流導(dǎo)通到電流截止時所需要的柵極電壓的變化量。這一特性用亞閾值斜率S來表示。S定義為亞閾值電流每變化10倍(一個數(shù)量級)所要求柵極電壓的變化量。S越小意味著MOS管的關(guān)斷性能越好。


聯(lián)系方式:鄒先生

聯(lián)系電話:0755-83888366-8022

手機:18123972950

QQ:2880195519

聯(lián)系地址:深圳市福田區(qū)車公廟天安數(shù)碼城天吉大廈CD座5C1


請搜微信公眾號:“KIA半導(dǎo)體”或掃一掃下圖“關(guān)注”官方微信公眾號

請“關(guān)注”官方微信公眾號:提供 MOS管 技術(shù)幫助







久久久久久AV无码| 蜜桃麻豆WWW久久囤产精品| 狠狠人妻久久久久久综合九色| 武则天肉体大战野史dvd| 花火视频影视大全免费观看| 免费大黄网站| 一本大道无码人妻精品专区| 国产精品毛片无码| 适合女士自慰时看的黄文| 无码人妻丰满熟妇精品区| 国产日韩综合一区二区性色av| 久久久精品中文字幕麻豆发布| 人妻少妇久久中文字幕| 感受大海的时刻| 性视频播放免费视频| 国产AV人人夜夜澡人人爽| 日本久久高清一区二区三区毛片| 无码人妻精品一区二区三区在线| 欧美激情无码视频一二三| 欧美人与性动交ccoo| 天堂资源最新在线| 久久九九久精品国产免费直播| 国产精品爽爽v在线观看无码| 色94色欧美sute亚洲线路二| 国产精品毛片无遮挡高清| 国产偷窥熟女精品视频大全| 国产精品人妻无码77777| 我在ktv被六个男人玩一晚上 | 性色av一区二区三区| 国产jk精品白丝av在线观看| 欧美三级韩国三级日本三斤 | 一本色道久久综合狠狠躁| 亚洲V欧美V国产V在线观看| 巨大欧美黑人xxxxbbbb| 在厨房拨开内裤进入毛片| 艳妇500篇短篇h系列| jealousvue成熟五十| 无套内谢的新婚少妇国语播放| 亚洲AV无码乱码在线观看,不卡 | 亚洲成av人片一区二区密柚 | 97夜夜澡人人双人人人喊|