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場效應(yīng)管驅(qū)動電路的改進

信息來源:本站 日期:2017-04-15 

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場效應(yīng)管驅(qū)動電路的改進

如圖二所示,典型應(yīng)用電路是由驅(qū)動2個N溝道MOSFET管或IGBT組成的半橋驅(qū)動電路。固定的柵極參考輸出通道(L0)用于下端連接的功率場效應(yīng)管T2,浮動的柵極輸出通道(HO)用于上端連接的功率場效應(yīng)管T1。以驅(qū)動N溝道MOSFET管為例來介紹。功率MOS—FET是電壓型驅(qū)動器件,沒有少數(shù)載流子的存儲效應(yīng),輸入阻抗高,因而開關(guān)速度可以很高,驅(qū)動功率小,電路簡單。但功率MOSFET的極間電容較大,其等效電路圖一所示。







圖二

輸入電容Ciss、輸出電容Coss和反饋電容Crss與極間電容的關(guān)系可表示為:

IR21844不能產(chǎn)生負偏壓,如果用于驅(qū)動橋式電路,由于極間電容的存在,在開通和關(guān)斷時刻,柵漏極間的電容CGD有充放電電流,容易在柵極上產(chǎn)生干擾。針對這一不足,可以在柵極限流電阻(R1和R2)上分別反并聯(lián)一個二極管(D3和D4)來解決,該二極管可以加快極間電容上的電荷的放電速度。

功率器件的柵源極的驅(qū)動電壓一般為CM()S電平(5~20 V),因此要在柵極增加保護電路。電路中穩(wěn)壓二極管D5、D6限制了所加?xùn)艠O電壓,電阻R1、R2進行分壓,同時也降低了柵極電壓。功率器件T1、T2在開關(guān)過程中會產(chǎn)生浪涌電壓,這些浪涌電壓會損壞元件,所以電路中采用穩(wěn)壓二極管D5、D6鉗位浪涌電壓。


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