KNY2803S場(chǎng)效應(yīng)管漏源擊穿電壓30V，漏極電流150A，極低的導(dǎo)通電阻RDS(開(kāi)啟) 1....KNY2803S場(chǎng)效應(yīng)管漏源擊穿電壓30V，漏極電流150A，極低的導(dǎo)通電阻RDS(開(kāi)啟) 1.8mΩ，最大限度地減少導(dǎo)電損耗，高效低耗；具有低Crss、快速切換、100%雪崩測(cè)試、改...
在PFC電路中，MOSFET損耗約占總損耗的20%左右。通過(guò)選擇正確的器件，PFC效率能...在PFC電路中，MOSFET損耗約占總損耗的20%左右。通過(guò)選擇正確的器件，PFC效率能夠得到大幅提升。為PFC電路選擇合適MOSFET器件的一種方法是使用針對(duì)特定應(yīng)用的品質(zhì)因...
在開(kāi)關(guān)電源的整流電路和濾波電容之間增加一個(gè)DC－DC的斬波電路，如圖所示（斬波...在開(kāi)關(guān)電源的整流電路和濾波電容之間增加一個(gè)DC－DC的斬波電路，如圖所示（斬波電路等于附加一個(gè)開(kāi)關(guān)電源）。對(duì)于供電線路來(lái)說(shuō)，該整流電路輸出沒(méi)有直接接濾波電容...
KND3404D場(chǎng)效應(yīng)管漏源擊穿電壓40V，漏極電流80A，采用先進(jìn)的溝槽工藝技術(shù)，極低...KND3404D場(chǎng)效應(yīng)管漏源擊穿電壓40V，漏極電流80A，采用先進(jìn)的溝槽工藝技術(shù)，極低的導(dǎo)通電阻RDS(開(kāi)啟) 4.4mΩ，最大限度地減少導(dǎo)電損耗；低Crss、快速切換，高效穩(wěn)定...
NPN三極管由兩個(gè)N型半導(dǎo)體和一個(gè)P型半導(dǎo)體組成，而PNP三極管則是由兩個(gè)P型半導(dǎo)...NPN三極管由兩個(gè)N型半導(dǎo)體和一個(gè)P型半導(dǎo)體組成，而PNP三極管則是由兩個(gè)P型半導(dǎo)體和一個(gè)N型半導(dǎo)體構(gòu)成。 NPN三極管：當(dāng)在基極（B）和發(fā)射極（E）之間施加正向電壓...
