在亞閾值區(qū)，當(dāng)漏端電壓較大時(shí)，靠近柵極的漏端處會形成一個(gè)小的耗盡區(qū)。在此區(qū)...在亞閾值區(qū)，當(dāng)漏端電壓較大時(shí)，靠近柵極的漏端處會形成一個(gè)小的耗盡區(qū)。在此區(qū)域內(nèi)，電場作用下會產(chǎn)生陷阱輔助的載流子，從而引發(fā)柵誘導(dǎo)的漏極泄露電流。當(dāng)電場足...
當(dāng)輸入電源大于MOS管VGS最大電壓，應(yīng)增加D7穩(wěn)壓管防止電源電壓過高擊穿mos管。...當(dāng)輸入電源大于MOS管VGS最大電壓，應(yīng)增加D7穩(wěn)壓管防止電源電壓過高擊穿mos管。當(dāng)電源正確接入時(shí)。電流的流向是從Vin到負(fù)載，在通過NMOS到GND。剛上電時(shí)因?yàn)镹MOS管...
LED電源專用MOS管KNP2915A漏源擊穿電壓150V，漏極電流130A；采用先進(jìn)的溝槽技術(shù)...LED電源專用MOS管KNP2915A漏源擊穿電壓150V，漏極電流130A；采用先進(jìn)的溝槽技術(shù)，極低的導(dǎo)通電阻RDS(開啟) 10mΩ；卓越的低Rds開啟、低柵極電荷，最大限度地減少導(dǎo)...
確定電路中可能出現(xiàn)的最大電壓。MOS管的VDSS應(yīng)大于電路中的最大電壓，一般要留...確定電路中可能出現(xiàn)的最大電壓。MOS管的VDSS應(yīng)大于電路中的最大電壓，一般要留出一定的余量，通常為電路最大電壓的1.5倍至 2倍，以確保在任何情況下MOS管都不會被...
MOSFET高頻特性好，可以工作頻率可以達(dá)到幾百kHz、上MHz，缺點(diǎn)是導(dǎo)通電阻大在高...MOSFET高頻特性好，可以工作頻率可以達(dá)到幾百kHz、上MHz，缺點(diǎn)是導(dǎo)通電阻大在高壓大電流場合功耗較大；而IGBT在低頻及較大功率場合下表現(xiàn)卓越，其導(dǎo)通電阻小，耐壓...
