KND3203B場(chǎng)效應(yīng)管漏源擊穿電壓30V,漏極電流100A;采用CRM(CQ)先進(jìn)的溝槽MOS...KND3203B場(chǎng)效應(yīng)管漏源擊穿電壓30V,漏極電流100A;采用CRM(CQ)先進(jìn)的溝槽MOS技術(shù),極低導(dǎo)通電阻RDS(開(kāi)啟) 3.1mΩ,最大限度地減少導(dǎo)電損耗,高效低耗;優(yōu)秀的Qg...
混合集成電路是一種將不同技術(shù)制造的電子元件(如半導(dǎo)體器件、陶瓷器件、電阻、...混合集成電路是一種將不同技術(shù)制造的電子元件(如半導(dǎo)體器件、陶瓷器件、電阻、電容等)集成在同一基板上,通過(guò)金屬線或焊接連接這些元件以實(shí)現(xiàn)功能電路。 混合集成...
當(dāng)MOSFET從截止區(qū)經(jīng)過(guò)放大區(qū)轉(zhuǎn)到可變電阻區(qū)時(shí),對(duì)應(yīng)其開(kāi)通過(guò)程(反之為關(guān)斷過(guò)程...當(dāng)MOSFET從截止區(qū)經(jīng)過(guò)放大區(qū)轉(zhuǎn)到可變電阻區(qū)時(shí),對(duì)應(yīng)其開(kāi)通過(guò)程(反之為關(guān)斷過(guò)程)。在放大區(qū)內(nèi),由于米勒效應(yīng),隨著Vds下降,CGD電容顯著增大。因此,給CGD電容充...
KNH2908B場(chǎng)效應(yīng)管漏源擊穿電壓80V,漏極電流130A;采用先進(jìn)的溝槽技術(shù),低RDS(...KNH2908B場(chǎng)效應(yīng)管漏源擊穿電壓80V,漏極電流130A;采用先進(jìn)的溝槽技術(shù),低RDS(ON)的高密度電池設(shè)計(jì),極低導(dǎo)通電阻RDS(開(kāi)啟) 5.0mΩ,最大限度地減少導(dǎo)電損耗;低...
當(dāng)PMOS工作時(shí),電流從S極(源極)流向D極(漏極),由于PMOS以空穴為主要載流子...當(dāng)PMOS工作時(shí),電流從S極(源極)流向D極(漏極),由于PMOS以空穴為主要載流子,電流的實(shí)際方向與電子流動(dòng)方向相反。漏極通常接較低的電位(例如接地或負(fù)電源),...